@inproceedings{MTMT:31658802,
	title = {Queueing Analysis of Cognitive Radio Networks with Finite Number of Secondary Users},
	url = {https://m2.mtmt.hu/api/publication/31658802},
	author = {Dragieva, Velika and Phung-Duc, Tuan},
	booktitle = {Analytical and Stochastic Modelling Techniques and Applications},
	doi = {10.1007/978-3-030-62885-7_2},
	unique-id = {31658802},
	year = {2020},
	pages = {18-32}
}

@article{MTMT:30791247,
	title = {A finite-source M/G/1 retrial queue with outgoing calls},
	url = {https://m2.mtmt.hu/api/publication/30791247},
	author = {Dragieva, Velika I. and Phung-Duc, Tuan},
	doi = {10.1007/s10479-019-03359-z},
	journal-iso = {ANN OPER RES},
	journal = {ANNALS OF OPERATIONS RESEARCH},
	volume = {293},
	unique-id = {30791247},
	issn = {0254-5330},
	year = {2020},
	eissn = {1572-9338},
	pages = {101-121}
}

@inproceedings{MTMT:30877084,
	title = {On the Busy Period in a Finite-Source Retrial Queue with Outgoing Calls},
	url = {https://m2.mtmt.hu/api/publication/30877084},
	author = {Dragieva, Velika and Phung-Duc, Tuan},
	booktitle = {Information Technologies and Mathematical Modelling. Queueing Theory and Applications},
	doi = {10.1007/978-3-030-33388-1_1},
	unique-id = {30877084},
	year = {2019},
	pages = {1-13}
}

@article{MTMT:27648912,
	title = {System State Distribution of a Finite-Source Retrial Queue with Subscribed Customers},
	url = {https://m2.mtmt.hu/api/publication/27648912},
	author = {Dragieva, Velika},
	doi = {10.1007/978-3-319-97595-5_21},
	journal-iso = {COMMUN COMPUT INFORM SCI},
	journal = {COMMUNICATIONS IN COMPUTER AND INFORMATION SCIENCE},
	volume = {912},
	unique-id = {27648912},
	issn = {1865-0929},
	year = {2018},
	eissn = {1865-0937},
	pages = {263-273}
}

@mastersthesis{MTMT:2729613,
	title = {CMOS-kompatibilis kapacitív páraérzékelő},
	url = {https://m2.mtmt.hu/api/publication/2729613},
	author = {Juhász, László},
	unique-id = {2729613},
	abstract = {Munkám során új, CMOS-kompatibilis rétegkialakítási eljárásokat és rétegszerkezeteket dolgoztam ki integrált páraérzékelők céljaira. Ezekre támaszkodva új, CMOS-kompatibilis páraérzékelő eszközt valósítottam meg. Az eredmények a sikeresen zárult PATENT FP6 EU, a BelAmI német-magyar bilaterális és a SE2A ENIAC EU projektekhez kapcsolódnak.
		
		A kidolgozott két rétegkialakítási eljárással alumínium vékonyrétegből nanopórusos alumínium-oxid alakítható ki és munkálható meg CMOS-kompatibilis szilícium szelettechnológiával. Az első eljárás esetében a szilícium hordozó teljes felületén készül pórusos vékonyréteg, melynek megmunkálása nedveskémiai marással történik. A második eljárás fotoreziszt felületi védelem mellett végzett szelektív anódikus oxidáción és azt követő szelektív marási lépésen alapul.
		
		A rétegkialakítási eljárások felhasználásával két kapacitív, síkelektródás páraérzékelő rétegszerkezetet dolgoztam ki, amelyekben az érzékelőréteg szerepét a nanopórusos alumínium-oxid vékonyréteg tölti be. Mérésekkel kimutattam, hogy a rétegszerkezetek 0-100% relatív páratartalom (RH) tartományban érzékenyek, karakterisztikájuk nemlineáris, átlagos érzékenységük eléri a 15 pF/RH% (65% RH alatt átlagosan 3,8 pF/RH%, felette 35,7 pF/RH%) értéket. Az elért érzékenység a kereskedelmi forgalomban lévő diszkrét, kapacitív szenzorok adatlapjain megadottaknál egy nagyságrenddel nagyobb. Mérésekkel bemutattam a karakterisztika hiszterézisének és ofszetjének kialakulását, valamint a környezeti hőmérséklettől való függését. Az első rétegszerkezet ultravékony palládium/palládium-oxid - pórusos alumínium-oxid - szilícium-dioxid - erősen adalékolt szilícium felépítésű, CMOS-technológiai lépéssor részeként, illetve azt kiegészítő lépésekkel megvalósítható, így integrált páraérzékelő alapjául szolgálhat. Kimutattam, hogy az ultravékony felső elektróda páraáteresztő viselkedésében szerepet játszik a hőkezelődés hatására bekövetkező agglomerációja. A második rétegszerkezet rácsozatos fémezés - pórusos alumínium-oxid - titán rétegszerkezeten alapul, és megvalósítható passzivált felületű, kész CMOS-áramköröket is tartalmazó szilícium szeleten, lehetővé téve integrált érzékelők megvalósítását.
		
		A kidolgozott technológiai eljárások és az elvégzett vizsgálatok eredményei alapján megvalósítottam egy új, CMOS-kompatibilisen integrálható páraérzékelő eszközt. A szenzor a bemutatott palládium/palládium-oxid elektródás rétegszerkezeten alapul, és az alatta kialakított pn átmenet segítségével fűthető, illetve a hőmérséklete meghatározható. Az eszközt a SE2A ENIAC EU projekt keretében egy partnercég továbbfejlesztett tokozási eljáráshoz optimalizáltam, így az ebből a szempontból is megfelel a sorozatgyártás követelményeinek. Mérésekkel igazoltam, hogy a pn átmenet alkalmas a páraérzékelő eszköz reprodukálható kifűtésére, így megszüntethető a működés során a kapacitás értékében kialakuló ofszet. Az eszköz kialakításának köszönhetően a kifűtés mérési körülmények között is elvégezhető. Mérésekkel kimutattam, hogy a pn átmenet alkalmas az eszköz hőmérsékletének kívánt értéken tartására, és a hőmérséklet emelésével csökkenthető annak hiszterézise. Autóipari körülmények között végzett demonstráció során a saját érzékelő linearizált, kalibrált kimeneti jele háromszoros meredekséggel követte a páratartalom változásait az összehasonlításra használt, polimer alapú ipari érzékelő jeléhez képest. Az álló levegőben végzett pontosabb vizsgálatok alapján az általam készített szenzorok tipikus válaszideje <6 s-ra adódott, így azok versenyképesek a széles körben elterjedt polimer alapú, kereskedelmi fogalomban lévő szenzorokkal (melyek esetében ez az érték 8 s vagy annál nagyobb érték).},
	year = {2014}
}

@mastersthesis{MTMT:2862719,
	title = {ANALYSIS AND DESIGN OF RADIO ACCESS TRANSPORT NETWORK CONGESTION CONTROL AND DIMENSIONING METHODS},
	url = {https://m2.mtmt.hu/api/publication/2862719},
	author = {Pályi, Pál László},
	unique-id = {2862719},
	year = {2014}
}