MTMT2: publication list

Pohorelec, O. ; Ťapajna, M. ; Gregušová, D. ; Gucmann, F. ; Hasenöhrl, S. ; Haščík, Š. ; Stoklas, R. ; Seifertová, A. ; Pécz, B. ; Tóth, L. et al.

Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs

APPLIED SURFACE SCIENCE 528 Paper: 146824 , 6 p. (2020)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Közlemény:31354912 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[31354912] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 3, Független: 1, Függő: 2, Nem jelölt: 0

Ballabio, Andrea ; Bietti, Sergio ; Scaccabarozzi, Andrea ; Esposito, Luca ; Vichi, Stefano ; Fedorov, Alexey ; Vinattieri, Anna ; Mannucci, Cosimo ; Biccari, Francesco ; Nemcsis, Ákos et al.

GaAs epilayers grown on patterned (001) silicon substrates via suspended Ge layers

SCIENTIFIC REPORTS 9 : 1 Paper: 17529 , 8 p. (2019)

DOI REAL WoS Scopus PubMed Google scholar

Közlemény:30936719 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[30936719] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 15, Független: 14, Függő: 1, Nem jelölt: 0

Gregušová, Dagmar ; Tóth, Lajos ; Pohorelec, Ondrej ; Hasenöhrl, Stanislav ; Haščík, Štefan ; Cora, Ildikó ; Fogarassy, Zsolt ; Stoklas, Roman ; Seifertová, Alena ; Blaho, Michal et al.

InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (2008) 58 : C Paper: SCCD21 , 6 p. (2019)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Közlemény:30682160 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[30682160] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 4, Független: 2, Függő: 2, Nem jelölt: 0

Heuken, L ; Alshahed, M ; Ottaviani, A ; Alomari, M ; Heuken, M ; Wächter, C ; Bergunde, T ; Cora, I ; Tóth, L ; Pécz, B et al.

Temperature Dependent Vertical Conduction of GaN HEMT Structures on Silicon and Bulk GaN Substrates

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 216 : 1 Paper: 1800482 , 7 p. (2019)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Közlemény:27700291 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[27700291] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 8, Független: 6, Függő: 2, Nem jelölt: 0

Szenes, György ; Tóth, Lajos

Basic restrictions for theories of ion-induced track formation: ignored relationships between experimental data

PHYSICA SCRIPTA 94 : 11 Paper: 115810 , 9 p. (2019)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Közlemény:30739221 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[30739221] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 4, Független: 2, Függő: 2, Nem jelölt: 0

Alshahed, M ; Heuken, L ; Alomari, M ; Cora, I ; Toth, L ; Pecz, B ; Wachter, C ; Bergunde, T ; Burghartz, JN

Low-Dispersion, High-voltage, Low-Leakage GaN HEMTs on Native GaN Substrates

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 65 : 7 pp. 2939-2947. , 9 p. (2018)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Zárolt Közlemény:3401186 Egyeztetett Forrás Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[3401186] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 34, Független: 32, Függő: 2, Nem jelölt: 0

Bietti, S ; Basset, FB ; Scarpellini, D ; Fedorov, A ; Ballabio, A ; Esposito, L ; Elborg, M ; Kuroda, T ; Nemcsics, Ákos ; Toth, L et al.

Ga metal nanoparticle-GaAs quantum molecule complexes for terahertz generation

NANOTECHNOLOGY 29 : 36 Paper: 365602 , 8 p. (2018)

DOI REAL WoS Scopus PubMed Google scholar

Közlemény:3400962 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[3400962] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 3, Független: 2, Függő: 1, Nem jelölt: 0

Nemcsics, Akos ; Urmos, Antal ; Toth, Lajos

Droplet Epitaxy and its Possibilities in Nano-electronics

International Symposium on Next-Generation Electronics 2018 pp. 122-124. , 3 p. (2018)

DOI WoS REAL Scopus Google scholar

Közlemény:27519782 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Konferenciaközlemény ) Tudományos

Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk) | Tudományos[27519782] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 6, Független: 1, Függő: 5, Nem jelölt: 0

Milan, Ťapajna ; Lukáš, Válik ; Filip, Gucmann ; Dagmar, Gregušová ; Karol, Fröhlich ; Štefan, Haščík ; Edmund, Dobročka ; Lajos, Tóth ; Béla, Pécz ; Ján, Kuzmík

Low-temperature atomic layer deposition-grown Al2O3 gate dielectric for GaN/AlGaN/ GaN MOS HEMTs: Impact of deposition conditions on interface state density

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B-NANOTECHNOLOGY AND MICROELECTRONICS 35 : 1 Paper: 01A107 , 8 p. (2017)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Közlemény:3161397 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[3161397] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 18, Független: 14, Függő: 4, Nem jelölt: 0

10.

Ťapajna, M ; Stoklas, R ; Gregušová, D ; Gucmann, F ; Hušeková, K ; Haščík, Š ; Fröhlich, K ; Tóth, L ; Pécz, B ; Brunner, F et al.

Investigation of ‘surface donors’ in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures: Correlation of electrical, structural, and chemical properties

APPLIED SURFACE SCIENCE 426 pp. 656-661. , 6 p. (2017)

DOI REAL WoS Scopus Google scholar

Közlemény:3254420 Egyeztetett Forrás Idéző Folyóiratcikk (Szakcikk ) Tudományos

Szakcikk (Folyóiratcikk) | Tudományos[3254420] [Egyeztetett]

Nyilvános idéző összesen: 24, Független: 16, Függő: 8, Nem jelölt: 0

Rendezés

Lista exportálása irodalomjegyzékként