Szentpáli B et al. GaAs Optical Switch Prepared by MESFET Technology. (1990) MIKROWELLEN UND HF MAGAZIN 0722-8244 16 7 483-484, 1221038
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1221038]
  1. Henini M. Nincs cím. (1995) III-VS REVIEW 0961-1290 8 4 46-48
    Folyóiratcikk[20601986] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20601986, Kapcsolat: 20601986
Szentpáli B et al. GaAs Optical Switch Prepared by MESFET Technology. (1990) OPTO ELEKTRONIK MAGAZIN 0930-9713 6 6-8 400-401, 1221039
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1221039]
  1. Berceli T.. Lightwave technology applied to microwaves in eastern europe. (1993) MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 0895-2477 6 1 42-49
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31029177] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31029177, Kapcsolat: 20601990
Varrio J. An X-ray diffraction study of the effects of rapid thermal annealing on GaAs layers on Si substrate. (1990) MATERIALS LETTERS 0167-577X 10 1-2 49-51, 1228470
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228470]
  1. Bilel A et al. Relationship between the structural and electronic properties of n–GaAs layer grown on rough Si substrate by molecular beam epitaxy. (2013) INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY 1475-7435 10 5-7 445-454
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23137334] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23137334, Kapcsolat: 23137334
  2. Azeza B et al. Growth of n-GaAs layer on a rough surface of p-Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE) for photovoltaic applications. (2011) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 317 1 104-109
    Folyóiratcikk[21705155] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21705155, Kapcsolat: 21705155
  3. Wilke K et al. Anomalies of ohmic contacts on heteroepitaxial GaAs layers on Si after rapid thermal annealing. (1995) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 77 2 653-656
    Folyóiratcikk[20620622] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620622, Kapcsolat: 20620622
  4. Mojzes Imre et al. Új anyagok és szerkezetek a mikrohullámú technikában. (1993) ISBN:9630564394
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[1109941] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1109941, Kapcsolat: 20620618
Pesek A et al. Lattice misfit and relative tilt of lattice planes in semiconductor heterostructures. (1991) SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 0268-1242 1361-6641 6 7 705-708, 1228492
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228492]
  1. Mozhaev Peter et al. Three-dimensional graphoepitaxial growth of oxide films by pulsed laser deposition. (2018) PHYSICAL REVIEW MATERIALS 2475-9953 2 10
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30351200] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 30351200, Kapcsolat: 27752089
  2. Kryvyi SB. High resolution X-ray diagnostic of the influence of deformations on structure of nanosize systems: ВИСОКОРОЗДІЛЬНА Х-ПРОМЕНЕВА ДІАГНОСТИКА ВПЛИВУДЕФОРМАЦІЙ НА СТРУКТУРУ НАНОРОЗМІРНИХ СИСТЕМ. (2017)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[27032113] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 27032113, Kapcsolat: 27032107
  3. Narayanan V et al. Thin films on silicon: Electronic and photonic applications. (2016) ISBN:9789814740470
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[26272903] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 26272903, Kapcsolat: 26272903
  4. Nikolenko AS et al. Structural and optical study of strain relaxation in Ge1-xSnx layers grown on Ge/Si(001) by molecular beam epitaxy. (2016) THIN SOLID FILMS 0040-6090 613 68-74
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25260748] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25260748, Kapcsolat: 25260744
  5. Chai J. et al. Silicon carbide on silicon: 3C-SiC buffer layers for GaN LEDs. (2016) Megjelent: Thin Films on Silicon: Electronic and Photonic Applications pp. 47-77
    Könyvrészlet/Könyvfejezet (Könyvrészlet)/Tudományos[31038297] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31038297, Kapcsolat: 28600446
  6. Wang L et al. Misorientation dependent epilayer tilting and stress distribution in heteroepitaxially grown silicon carbide on silicon (111) substrate. (2014) THIN SOLID FILMS 0040-6090 564 39-44
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24312551] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24312551, Kapcsolat: 24312536
  7. Liu HF et al. Crystallographic tilt in GaN-on-Si (111) heterostructures grown by metal–organic chemical vapor deposition. (2014) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 0022-2461 1573-4803 49 9 3305-3313
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23826185] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23826185, Kapcsolat: 23826185
  8. Chen Cheng et al. Simulation of morphological evolution and crystallographic tilt in heteroepitaxial growth using phase-field crystal method. (2012) ACTA PHYSICA SINICA-CHINESE EDITION 1000-3290 61 10
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30351422] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 30351422, Kapcsolat: 28600449
  9. Cowley RA et al. Tilting during island growth of In2O3 on Y-stabilized ZrO2 (001) revealed by high-resolution x-ray diffraction. (2010) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 82 16
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25339514] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25339514, Kapcsolat: 21147386
  10. Li MC et al. Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates. (2009) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 105 9 p. 094903
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21147471] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21147471, Kapcsolat: 21147369
  11. Yong Lin. Science and applications of III-V graded anion metamorphic buffers in InP substrates. (2007)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[23070833] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23070833, Kapcsolat: 23070833
  12. Trukhanov EM et al. Role of the dislocation screw component in the formation of the dislocation structure in Ge- and Si-based semiconductor heterosystems. (2007) JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION: X-RAY SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES 1027-4510 1819-7094 1 3 247-254
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620700] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620700, Kapcsolat: 20620700
  13. Wang H et al. Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition. (2006) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 89 9
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620699] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620699, Kapcsolat: 20620699
  14. Däweritz L et al. Thickness dependence of the magnetic properties of MnAs films on GaAs(001) and GaAs(113)A: Role of a natural array of ferromagnetic stripes. (2004) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 96 9 5056-5062
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620698] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620698, Kapcsolat: 20620698
  15. Budai JD et al. X-ray microdiffraction study of growth modes and crystallographic tilts in oxide films on metal substrates. (2003) NATURE MATERIALS 1476-1122 1476-4660 2 487-492
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20622164] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20622164, Kapcsolat: 20620697
  16. Yamada A et al. Static analysis of off-axis crystal film growth onto a lattice-mismatched substrate. (2001) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 79 5 608-610
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20635392] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20635392, Kapcsolat: 20620696
  17. Nemcsics A. Growth control of the strained InGaAs/GaAs heterostructures for device purposes by decay of RHEED oscillation. (2000) PROCEEDINGS OF SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING 0277-786X 1996-756X 3975 264-267
    Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[26364487] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 26364487, Kapcsolat: 26364487
  18. Nemcsics Á. Correlation between the critical layer thickness and the decay time constant of RHEED oscillations in strained InxGa1-xAs/GaAs structures. (2000) THIN SOLID FILMS 0040-6090 367 302-305
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[139490] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 139490, Kapcsolat: 20620693
  19. Goorsky MS et al. Strain relaxation in III-V solar cells grown on germanium substrates. (1999) Megjelent: LATTICE MISMATCHED THIN FILMS pp. 73-80
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[26364502] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26364502, Kapcsolat: 26364488
  20. Eshani H et al. Role of relative tilt on the structural properties of GaInSb epitaxial layers grown on (001)GaSb substrates. (1999) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 86 2 835-840
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620690] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620690, Kapcsolat: 20620690
  21. Li JH et al. Strain and structural characterization of Zn1-xCdxSe laser structures grown on GaAs and InGaAs(001) substrates. (1996) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 80 1 81-88
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620689] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620689, Kapcsolat: 20620689
  22. Maigné P et al. Relaxation in tensile-strained InAlSb/InSb heterostructures. (1995) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 77 4 1466-1470
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620688] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620688, Kapcsolat: 20620688
  23. Woitok J et al. Comparison of the structural properties of epitaxial ZnSe lgrown on GaAs (001) by MOVPE using different selenium precursors. (1995) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 182-184 159-162
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25451553] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25451553, Kapcsolat: 25451553
  24. Maigné P et al. Structural defects in partially relaxed InGaAs layers. (1994) MRS Online Proceedings Library Archive 1946-4274 325 217-222
    Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620679] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620679, Kapcsolat: 20620679
  25. Maigné P et al. Strain relaxation in InAlSb epilayers grown on InSb substrates. (1994) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 65 12 1543-1545
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620672] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620672, Kapcsolat: 20620672
  26. Hara N et al. Origin of tilt in highly mismatched InxGa1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE. (1994) Megjelent: Control of semiconductor interfaces pp. 75-80
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[20620683] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620683, Kapcsolat: 20620683
  27. Baribeau JM et al. Interfacial studies in semiconductor heterostructures by X-ray diffraction techniques. (1994) SCANNING MICROSCOPY 0891-7035 8 4 813-826
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620685] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620685, Kapcsolat: 20620685
  28. Maigné P et al. Effect of substrate misorientation on x-ray rocking curves from InGaAs relaxed epitaxial layers. (1994) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 75 3 1837-1839
    Folyóiratcikk/Rövid közlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620668] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620668, Kapcsolat: 20620668
  29. van der Sluis P. High-resolution x-ray diffraction of epitaxial layers on vicinal semiconductor substrates. (1993) PHILIPS JOURNAL OF RESEARCH 0165-5817 47 3-5 203-215
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620663] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620663, Kapcsolat: 20620663
  30. Koppensteiner E et al. Combining four-crystal seven-reflection and three-crystal five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE. (1993) JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 0022-3727 1361-6463 26 4A A35-A40
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20621047] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20621047, Kapcsolat: 20620661
Riesz F et al. AlGaAs/GaAs heterojunction photodiodes grown by MBE. (1991) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 69 81-84, 1229140
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1229140]
  1. Berceli T.. Lightwave technology applied to microwaves in eastern europe. (1993) MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 0895-2477 6 1 42-49
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31029177] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31029177, Kapcsolat: 22392017
Riesz F et al. Effects of rapid thermal annealing on InP layers grown on GaAs substrates by gas-source molecular beam epitaxy. (1991) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 9 1 176-177, 1228490
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228490]
  1. Fan Y. B. et al. Epitaxial Lateral Overgrowth of InP on Nanopatterned GaAs Substrates by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition. (2018) JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 0361-5235 47 9 5518-5524
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30351186] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 30351186, Kapcsolat: 27752067
  2. Postigo PA et al. Growth of InP on GaAs (001) by hydrogen-assisted low-temperature solid-source molecular beam epitaxy. (2008) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 103 1
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20620657] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620657, Kapcsolat: 20620657
  3. Mojzes Imre et al. Új anyagok és szerkezetek a mikrohullámú technikában. (1993) ISBN:9630564394
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[1109941] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1109941, Kapcsolat: 20620654
Riesz F et al. Tilting of lattice planes in InP epilayers grown on miscut GaAs substrates: the effect of initial growth conditions. (1991) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 114 1-2 127-132, 1228494
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228494]
  1. Kryvyi SB. High resolution X-ray diagnostic of the influence of deformations on structure of nanosize systems: ВИСОКОРОЗДІЛЬНА Х-ПРОМЕНЕВА ДІАГНОСТИКА ВПЛИВУДЕФОРМАЦІЙ НА СТРУКТУРУ НАНОРОЗМІРНИХ СИСТЕМ. (2017)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[27032113] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 27032113, Kapcsolat: 27032113
  2. Nikolenko AS et al. Structural and optical study of strain relaxation in Ge1-xSnx layers grown on Ge/Si(001) by molecular beam epitaxy. (2016) THIN SOLID FILMS 0040-6090 613 68-74
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25260748] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25260748, Kapcsolat: 25260747
  3. Zaumseil P et al. Laboratory-based characterization of heteroepitaxial structures: Advanced experiments not needing synchrotron radiation. (2010) POWDER DIFFRACTION 0885-7156 25 2 92-98
    Folyóiratcikk[21147414] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21147414, Kapcsolat: 21147414
  4. Zaumseil P. Laboratory-based characterization of heteroepitaxial structures: Advanced experiments not needing synchrotron radiation. (2010) Megjelent: 58th Annual Denver X-ray Conference pp. 45-56
    Egyéb konferenciaközlemény[21147429] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21147429, Kapcsolat: 21147429
  5. Zaumseil P et al. X-ray characterization of epi-Ge/Pr2O3/Si(111) layer stacks by pole figures and reciprocal space mapping. (2009) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 1862-6300 1862-6319 206 8 1809-1815
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21147410] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 21147410, Kapcsolat: 21147410
  6. Zheng CD et al. Misorientation and bending of ZnO films on sapphire by X-ray double crystal diffractometry. (2005) FAGUANG XUEBAO / CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 1000-7032 26 3 385-390
    Folyóiratcikk[20621133] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621133, Kapcsolat: 20621133
  7. Wehmann HH. Fehlangepasste Epitaxie von III/V-Halbleitern. (2000)
    Disszertáció/Habilitációs anyag (Disszertáció)/Tudományos[20621146] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621146, Kapcsolat: 20621080
  8. Guo XJ. Determine the three-dimensional crystallographic misorientation in heterostructures by selected-area diffraction (SAD) in TEM. (2000) Megjelent: Materials Research Society Symposium pp. 271-276
    Egyéb konferenciaközlemény[20621132] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621132, Kapcsolat: 20621132
  9. Wen et al. Determination of the 3-dimensional crystallographic misorientation in heterostructures by selected-area diffraction (Sad) in cross-sectional TEM. (2000) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 213 1-2 150-156
    Folyóiratcikk[20621079] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621079, Kapcsolat: 20621079
  10. Goorsky MS et al. Strain relaxation in III-V solar cells grown on germanium substrates. (1999) Megjelent: First International Workshop on Lattice-Mismatched and Heterovalent Thin Film Epitaxy pp. 73-80
    Egyéb konferenciaközlemény[20621077] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621077, Kapcsolat: 20621077
  11. Goorsky MS et al. Strain relaxation in III-V solar cells grown on germanium substrates. (1999) Megjelent: LATTICE MISMATCHED THIN FILMS pp. 73-80
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[26364502] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26364502, Kapcsolat: 26364502
  12. Hess RR et al. Lattice tilt and relaxation in InGaP/GaAs/Ge solar cells on miscut substrates. (1999) JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 0022-3727 1361-6463 32 A16-A20
    Folyóiratcikk[20621301] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20621301, Kapcsolat: 20621074
  13. Sou IK et al. High-resolution X-ray-diffraction study of ZnSe/GaAs heterostructures grown by molecuar-beam epitaxy. (1995) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 147 1-2 39-46
    Folyóiratcikk[20621063] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621063, Kapcsolat: 20621063
  14. Hara N et al. Origin of tilt in highly mismatched InxGa1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE. (1994) Megjelent: Control of semiconductor interfaces pp. 75-80
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[20620683] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620683, Kapcsolat: 20621059
  15. Sou IK. HRXRD study of the strain properties of MBE-grown ZnSe and ZnSTe on GaAs. (1994) Megjelent: Materials Research Society Symposium pp. 481-490
    Egyéb konferenciaközlemény[20621055] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621055, Kapcsolat: 20621055
  16. Maigné P et al. Structural properties of partially relaxed InxGa1-xAs layers grown on (100) and misoriented GaAs substrates. (1993) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 62 8 873-875
    Folyóiratcikk[20621046] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621046, Kapcsolat: 20621046
  17. Morelhao SL et al. Structural properties of heteroepitaxial systems using hybrid multiple diffraction in Renninger scans. (1993) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 73 9 4218-4226
    Folyóiratcikk[20621049] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621049, Kapcsolat: 20621049
  18. Zhou GL et al. Si/SiGe modulation-doped structures with thin buffers: The effect of substrate orientation. (1993) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 63 15 2094-2096
    Folyóiratcikk[20621052] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621052, Kapcsolat: 20621052
  19. Lin TY et al. Effects of hydrogenation on electrical properties of InP grown on GaAs by the photochemical vapor-deposition system. (1993) MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 0254-0584 33 1-2 76-79
    Folyóiratcikk[20621045] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621045, Kapcsolat: 20621045
  20. Koppensteiner E et al. Combining four-crystal seven-reflection and three-crystal five-reflection diffractometry for the characterization of ZnSe layers grown on GaAs by MOVPE. (1993) JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 0022-3727 1361-6463 26 4A A35-A40
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20621047] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20621047, Kapcsolat: 20621047
F Riesz et al. The effect of the initial nucleation temperature on the misfit dislocation structure of InP on GaAs heterostructures. (1992) MRS SYMPOSIUM PROCEEDINGS 0272-9172 263 461-466, 1200799
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1200799]
  1. Hara N et al. Origin of tilt in highly mismatched InxGa1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE. (1994) Megjelent: Control of semiconductor interfaces pp. 75-80
    Könyvrészlet[21705205] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 21705205, Kapcsolat: 21705205
Riesz F et al. A novel MESFET-compatible GaAs optoelectronic switch. (1992) MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 0895-2477 5 3 112-114, 138406
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[138406]
  1. Berceli T.. Lightwave technology applied to microwaves in eastern europe. (1993) MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 0895-2477 6 1 42-49
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31029177] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31029177, Kapcsolat: 28589476
Riesz F et al. The effect of initial growth conditions on the tilting of lattice planes in InP-on-GaAs heterostructures. (1992) Megjelent: Fall Meeting of the MRS pp. 23-28, 1229142
Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[1229142]
  1. Hara N et al. Origin of tilt in highly mismatched InxGa1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE. (1994) Megjelent: Control of semiconductor interfaces pp. 75-80
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[20620683] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20620683, Kapcsolat: 20623061
Riesz F et al. The role of metallization type in semiinsulating GaAs-based optoelectronic switches. (1992) PROCEEDINGS OF SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING 0277-786X 1996-756X 1783 338-343, 1347930
Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[1347930]
  1. Mimila-Arroyo J et al. Optical gain improvement of GaAs Lateral Photoresistive Elements by Sulphur Passivation of the Surface. (1997) Megjelent: Proceedings of 3rd International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices pp. 251-254
    Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[20996019] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20996019, Kapcsolat: 20996019
  2. K Somogyi. Aqueous Sulphur Passivation Effect on the GaAs Based Photosensitive Elements. (1997) Megjelent: 7th Joint VacuumConference of Hungary, Austria, Croatia and Slovenia
    Egyéb konferenciaközlemény[20996017] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20996017, Kapcsolat: 20996017
  3. Ryc L. Nincs cím. (1996) ELEKTRONIKA 0132-3784 28 12 26-28
    Folyóiratcikk[20996020] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20996020, Kapcsolat: 20996020
  4. Mojzes Imre et al. Új anyagok és szerkezetek a mikrohullámú technikában. (1993) ISBN:9630564394
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[1109941] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1109941, Kapcsolat: 20996018
Riesz F. The analogy between a coherently strained epilayer on a vicinal substrate and a low-angle grain boundary. (1992) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 123 1-2 309-312, 1228733
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228733]
  1. Wehmann HH. Fehlangepasste Epitaxie von III/V-Halbleitern. (2000)
    Disszertáció/Habilitációs anyag (Disszertáció)/Tudományos[20621146] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621146, Kapcsolat: 20621146
  2. Pesek A. Characterization of semiconductors by high resolution X-ray diffraction. (1993)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[20621145] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621145, Kapcsolat: 20621145
Riesz F. Comments on 'Surface potential transients of ultrathin SiO2-Si structures'. (1993) SOLID-STATE ELECTRONICS 0038-1101 36 1 115-115, 1228735
Folyóiratcikk/Hozzászólás, helyreigazítás (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228735]
  1. J Mizsei. Reply to "Comments on 'Surface potential transients of ultrathin SiO2-Si structures'. (1993) SOLID-STATE ELECTRONICS 0038-1101 36 1 117-117
    Folyóiratcikk/Hozzászólás, helyreigazítás (Folyóiratcikk)/Tudományos[2610597] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 2610597, Kapcsolat: 20621147
Riesz F. Normalized expression of the frequency response of p-i-n avalanche photodiodes. (1993) SOLID-STATE ELECTRONICS 0038-1101 36 2 293-294, 1228737
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228737]
  1. Kilpelä A. Pulsed time-of-flight laser range finder techniques for fast, high precision measurements applications. (2004)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[21718658] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 21718658, Kapcsolat: 21718658
  2. Berceli T.. Lightwave technology applied to microwaves in eastern europe. (1993) MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS 0895-2477 6 1 42-49
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31029177] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31029177, Kapcsolat: 20621154
Riesz F. The role of surface steps in the asymmetric surface dislocation nucleation in vicinal heterostructures with compressive and tensile stresses. (1993) SURFACE SCIENCE 0039-6028 292 3 L817-L820, 1228758
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228758]
  1. Li C et al. Geometrical effect on dislocation nucleation at crystal surface nanostructures. (2007) ENGINEERING ANALYSIS WITH BOUNDARY ELEMENTS 0955-7997 31 443-450
    Folyóiratcikk[20621206] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621206, Kapcsolat: 20621206
  2. Li C et al. Critical conditions for dislocation nucleation at surface steps. (2006) PHILOSOPHICAL MAGAZINE 1478-6435 1478-6443 86 2957-2970
    Folyóiratcikk[20621202] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621202, Kapcsolat: 20621202
  3. Segall DE et al. Corroboration of a multiscale approach with all atom calculations in analysis of dislocation nucleation from surface steps. (2006) PHILOSOPHICAL MAGAZINE 1478-6435 1478-6443 86 32 5083-5101
    Folyóiratcikk[20621204] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621204, Kapcsolat: 20621204
  4. Huang XR et al. Step-controlled strain relaxation in the vicinal surface epitaxy of nitrides. (2005) PHYSICAL REVIEW LETTERS 0031-9007 1079-7114 95 8 p. 086101
    Folyóiratcikk[20622137] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20622137, Kapcsolat: 20621200
  5. Wagner G. The film surface as the site for spontaneous nucleation of dislocation half-loops in strained heteroepitaxial systems. (1999) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6300 1862-6319 173 2 385-403
    Folyóiratcikk[20635280] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20635280, Kapcsolat: 20621199
  6. Goldman RS. Effect of substrate misorientation direction on strain relaxation at InGaAs/GaAs(001) interfaces. (1995) Megjelent: Spring Meeting of the Materials Reseacrh Society pp. 21-26
    Egyéb konferenciaközlemény[20621197] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621197, Kapcsolat: 20621197
  7. Goldman RS et al. Correlation of anisotropic strain relaxation with substrate misorientation direction at InGaAs/GaAs(001) interface. (1995) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 67 3 344-346
    Folyóiratcikk[20621190] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621190, Kapcsolat: 20621190
  8. Ohkouchi S et al. Role of steps in GaAs heteroepitaxial growth on InAs(001) surfaces. (1994) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-4922 1347-4065 33 6B 3710-3714
    Folyóiratcikk[20621189] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20621189, Kapcsolat: 20621189
Dragoman M et al. Nonlinear transmission line CPW MMIC. (1994) Megjelent: Proceedings of the 7th Mediterranean Electrotechnical Conference pp. 617-620, 138599
Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[138599]
  1. Malooci A et al. Design and fabrication of waveguide-coupled CW-photomixers for millimetre-wave and THz applications using low temperature grown GaAs photoconductors. (2005) Megjelent: 2005 The Joint 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 13th International Conference on Terahertz El... pp. 130-131
    Egyéb konferenciaközlemény[20613888] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20613888, Kapcsolat: 20613888
  2. Heymann P et al. A physics-based model of hyperabrupt varactors for nonlinear transmission line applications. (2005) INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING 1096-4290 1099-047X 7 4 130-131
    Folyóiratcikk[20613889] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20613889, Kapcsolat: 20613889
Dragoman M. Quasi-Optical THz Radar and Spectroscopy Instrumentation Based on Nonlinear Transmission Lines MMICs. (1994) INTERNATIONAL WORKSHOP ON INTEGRATED NONLINEAR MICROWAVE AND MILLIMETERWAVE CIRCUITS 0938-8028 na 259-264, 138600
Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[138600]
  1. Malcoci A. Photonische Lokaloszillatoren für Anwendungen in der Terahertz-Radioastronomie. (2006)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[21770759] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21770759, Kapcsolat: 21770759
  2. Malooci A et al. Design and fabrication of waveguide-coupled CW-photomixers for millimetre-wave and THz applications using low temperature grown GaAs photoconductors. (2005) Megjelent: 2005 The Joint 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 13th International Conference on Terahertz El... pp. 130-131
    Egyéb konferenciaközlemény[20613888] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20613888, Kapcsolat: 20613863
  3. Heymann P et al. A physics-based model of hyperabrupt varactors for nonlinear transmission line applications. (1997) INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING 1096-4290 1099-047X 7 4 287-288
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20614509] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20614509, Kapcsolat: 20614509
Riesz F et al. Correlation between initial growth planarity and epilayer tilting in the vicinal GaAs/Si system. (1994) APPLIED SURFACE SCIENCE 0169-4332 1873-5584 75 1-4 248-251, 138629
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[138629]
  1. Wang Yu-Cian et al. Low-Temperature grown Gallium Arsenide on Silicon by using Migration-Enhanced Epitaxy. (2018) Megjelent: 2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34... pp. 0264-0267
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[30897932] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 30897932, Kapcsolat: 28416938
  2. Ayers J.E. et al. Heteroepitaxy of semiconductors: Theory, growth, and characterization, Second edition. (2016) ISBN:9781482254358; 9781482254365
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[30419652] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 30419652, Kapcsolat: 28599765
  3. Qiu D et al. Heteroepitaxy crystallography in low dimensional nanostructures. (2011) SOLID STATE PHENOMENA 1012-0394 1662-9779 172-174 1307-1312
    Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[21803088] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21803088, Kapcsolat: 21803088
  4. Ayers JE. Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization. (2007)
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[20622191] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20622191, Kapcsolat: 21803087
  5. Krasotin A et al. X-ray topography research of dislocation structure in epitaxial GeSi films grown on vicinal (001) Si substrates. (2006) Megjelent: EDM 2006: 7th Annual International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, Proceedings pp. 67-68
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[26355576] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26355576, Kapcsolat: 26355576
  6. Zhu YM et al. One of the potentially optimal interfaces of beta-FeSi2/Si. (2005) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 279 1-2 129-139
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21803085] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21803085, Kapcsolat: 21803085
  7. Nemcsics Ákos. A napelem és fejlesztési perspektívái. (2001) ISBN:9630578212
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[1409827] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1409827, Kapcsolat: 21803084
  8. Lamelas FJ et al. Crystallographic tilting during heteroepitaxial growth of rubidium iodide on mica. (2000) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 62 12 8330-8337
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21803083] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21803083, Kapcsolat: 21803083
  9. Nemcsics Ákos. A napelem működése, fajtái és alkalmazása. (1999) ISBN:9637158014
    Könyv/Felsőoktatási tankönyv (Könyv)/Oktatási[1409826] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 1409826, Kapcsolat: 21803082
  10. Waltenburg HN et al. Surface Chemistry of Silicon. (1995) CHEMICAL REVIEWS 0009-2665 1520-6890 95 5 1589-1673
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[10115601] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 10115601, Kapcsolat: 21803081
Riesz F et al. The effects of contact type on the properties of semiinsulating GaAs photodetectors. (1994) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6319 1862-6300 143 1 K53-K56, 1350758
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1350758]
  1. Girard J.-Ph. et al. Mitigating the photocurrent persistence of single ZnO nanowires for low noise photodetection applications. (2018) NANOTECHNOLOGY 0957-4484 1361-6528 29 50
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31040075] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31040075, Kapcsolat: 28602456
Riesz F. Rotated tilting in lattice-mismatched heteroepitaxial systems. (1994) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 140 1-2 213-218, 1228771
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228771]
  1. Kamyar Ahmadi-Majlan. Achieving novel functionalities in semiconductor-crystalline oxide heterostructures through electrical and structural coupling. (2018)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[30351222] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 30351222, Kapcsolat: 27752111
  2. Kryvyi SB. High resolution X-ray diagnostic of the influence of deformations on structure of nanosize systems: ВИСОКОРОЗДІЛЬНА Х-ПРОМЕНЕВА ДІАГНОСТИКА ВПЛИВУДЕФОРМАЦІЙ НА СТРУКТУРУ НАНОРОЗМІРНИХ СИСТЕМ. (2017)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[27032113] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 27032113, Kapcsolat: 27032115
  3. Nikolenko AS et al. Structural and optical study of strain relaxation in Ge1-xSnx layers grown on Ge/Si(001) by molecular beam epitaxy. (2016) THIN SOLID FILMS 0040-6090 613 68-74
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25260748] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25260748, Kapcsolat: 25260748
  4. Liu HF et al. Rotation of in-plane structural anisotropy at the interface of an a-plane InN/GaN heterostructure grown by MOCVD on r-plane sapphire. (2016) CRYSTENGCOMM 1466-8033 18 1871-1877
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26272917] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26272917, Kapcsolat: 26272917
2020-08-05 22:04