Geresdi A et al. Fast operation of nanometer-scale metallic memristors: highly transparent conductance channels in Ag2S devices. (2014) NANOSCALE 2040-3364 2040-3372 6 5 2613-2617, 2599319
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2599319]
  1. Martin-Garcia Beatriz et al. Solution-processed silver sulphide nanocrystal film for resistive switching memories. (2018) JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 2050-7526 2050-7534 6 48 13128-13135
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30378269] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 30378269, Kapcsolat: 27787678
  2. He Hui-Kai et al. Photonic Potentiation and Electric Habituation in Ultrathin Memristive Synapses Based on Monolayer MoS2. (2018) SMALL 1613-6810 1613-6829 14 15
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27600019] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27600019, Kapcsolat: 27600019
  3. Li Bin et al. Mediating Short-Term Plasticity in an Artificial Memristive Synapse by the Orientation of Silica Mesopores. (2018) ADVANCED MATERIALS 0935-9648 30 16
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27600018] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27600018, Kapcsolat: 27600018
  4. Cao Xinran et al. Characterization of interfacial barrier charging as a resistive switching mechanism in Ag/Sb2Te3/Ag heterojunctions. (2018) PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS 1463-9076 1463-9084 20 27 18200-18206
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30378282] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 30378282, Kapcsolat: 27787680
  5. Dias C et al. Tuning the Stoichiometry of Ag2S Thin Films for Resistive Switching Applications. (2016) JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 1533-4880 1533-4899 16 3 2608-2612
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25797818] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25797818, Kapcsolat: 25797818
  6. Chiolerio A et al. Resistive hysteresis in flexible nanocomposites and colloidal suspensions: interfacial coupling mechanism unveiled. (2016) RSC ADVANCES 2046-2069 6 61 56661-56667
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26039401] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26039401, Kapcsolat: 26039401
  7. Siddiqui GU et al. Enhanced resistive switching in all-printed, hybrid and flexible memory device based on perovskite ZnSnO3 via PVOH polymer. (2016) POLYMER 0032-3861 100 102-110
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26090413] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26090413, Kapcsolat: 26090413
  8. Cheng Peifu et al. Novel design for the odd-symmetric memristor from asymmetric switches. (2015) JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 2050-7526 2050-7534 3 12 2768-2772
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24898821] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24898821, Kapcsolat: 24898821
  9. Wu Xiao-Feng et al. Memristive Effects in Inorganic Solid Materials. (2015) CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY 1001-4861 31 9 1726-1738
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25383205] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25383205, Kapcsolat: 25383205
  10. Battal E et al. Resistive Switching-based Electro-Optical Modulation. (2014) ADVANCED OPTICAL MATERIALS 2195-1071 2 12 1149-1154
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)[24423885] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24423885, Kapcsolat: 24423885
Agnes Gubicza et al. Non-exponential resistive switching in Ag2S memristors: a key to nanometer-scale non-volatile memory devices. (2015) NANOSCALE 2040-3364 2040-3372 7 10 4394-4399, 2851415
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2851415]
  1. Dash Chandra et al. Nano Resistive Memory (Re-RAM) Devices and their Applications. (2019) REVIEWS ON ADVANCED MATERIALS SCIENCE 1606-5131 1605-8127 58 1 248-270
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31161413] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 31161413, Kapcsolat: 28788233
  2. Xie Shuai et al. Light-controlled resistive switching and voltage-controlled photoresponse characteristics in the Pt/CeO2/Nb:SrTiO3 heterostructure. (2019) JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 0925-8388 778 141-147
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30517679] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 30517679, Kapcsolat: 27963844
  3. Sadovnikov S. et al. Direct TEM observation of the "acanthite alpha-Ag2-Sargentite beta-Ag2S" phase transition in a silver sulfide nanoparticle. (2019) Nanoscale Advances 2516-0230 1 4 1581-1588
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31017029] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 31017029, Kapcsolat: 28564214
  4. Wang Yingnan et al. Pressure induced photoluminescence modulation in a wide range and synthesis of monodispersed ternary AgCuS nanocrystal based on Ag2S nanocrystals. (2018) NANOSCALE 2040-3364 2040-3372 10 5 2577-2587
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27343428] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27343428, Kapcsolat: 27343428
  5. Liu Huan et al. Optimization of non-linear conductance modulation based on metal oxide memristors. (2018) NANOTECHNOLOGY REVIEWS 2191-9089 2191-9097 7 5 443-468
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30378275] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 30378275, Kapcsolat: 27787668
  6. Sadovnikov Stanislav et al. Nanostructured silver sulfide: synthesis of various forms and their application. (2018) RUSSIAN CHEMICAL REVIEWS 0036-021X 1468-4837 87 4 303-327
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27599629] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27599629, Kapcsolat: 27599629
  7. Mao Shuangsuo et al. Multi-stage switching phenomenon in ultra-thin Ag films embedded into SrCoO3 multilayer films constructed resistive switching memory devices. (2018) FUNCTIONAL MATERIALS LETTERS 1793-6047 11 2
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27599628] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27599628, Kapcsolat: 27599628
  8. Li Bin et al. Mediating Short-Term Plasticity in an Artificial Memristive Synapse by the Orientation of Silica Mesopores. (2018) ADVANCED MATERIALS 0935-9648 30 16
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27600018] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27600018, Kapcsolat: 27599627
  9. Bafrani Hamidreza et al. A facile approach for reducing the working voltage of Au/TiO2/Au nanostructured memristors by enhancing the local electric field. (2018) NANOTECHNOLOGY 0957-4484 1361-6528 29 1
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27105051] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 27105051, Kapcsolat: 27105051
  10. Mangalam Jimmy et al. Resistive switching in polymethyl methacrylate thin films. (2016) ORGANIC ELECTRONICS 1566-1199 29 33-38
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25458173] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25458173, Kapcsolat: 25458173
  11. Yu Z et al. Hydrothermal synthesis and memristive switching behaviors of single-crystalline anatase TiO2 nanowire arrays. (2016) JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 0925-8388 688 294-300
    Folyóiratcikk/Tudományos[26090410] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26090410, Kapcsolat: 26090410
  12. Zhang Rui et al. Enhanced non-volatile resistive switching in suspended single-crystalline ZnO nanowire with controllable multiple states. (2016) NANOTECHNOLOGY 0957-4484 1361-6528 27 31
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26039402] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26039402, Kapcsolat: 26039402
  13. Yu Z et al. A facile hydrothermal synthesis and memristive switching performance of rutile TiO2 nanowire arrays. (2016) JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 0925-8388 688 37-43
    Folyóiratcikk/Tudományos[26090409] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26090409, Kapcsolat: 26090409
  14. Sun Bai et al. The DNA strand assisted conductive filament mechanism for improved resistive switching memory. (2015) JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 2050-7526 2050-7534 3 46 12149-12155
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25383178] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25383178, Kapcsolat: 25383178
  15. Cui C et al. Synthesis and Functions of Ag2S Nanostructures. (2015) NANOSCALE RESEARCH LETTERS 1931-7573 1556-276X 10 1
    Folyóiratcikk/Tudományos[25458192] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25458192, Kapcsolat: 25458192
  16. Wu Xiao-Feng et al. Memristive Effects in Inorganic Solid Materials. (2015) CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY 1001-4861 31 9 1726-1738
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25383205] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25383205, Kapcsolat: 25383180
Agnes Gubicza et al. Resistive switching in metallic Ag2S memristors due to a local overheating induced phase transition. (2015) NANOSCALE 2040-3364 2040-3372 7 11248-11254, 2911964
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2911964]
  1. Tulina N.A. et al. Studying the Dynamic Effects in Memristive Structures Based on Bismuth Selenide: Does a Memristor Need a Shuttle Tail?. (2019) BULLETIN OF THE RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES - PHYSICS 1062-8738 83 6 740-744
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31161442] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 31161442, Kapcsolat: 28788265
  2. Dash C.S. et al. Science and technological understanding of nano-ionic resistive memories (RRAM). (2019) NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY - ASIA 2210-6812 9 4 444-461
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31161443] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 31161443, Kapcsolat: 28788266
  3. Dash Chandra et al. Nano Resistive Memory (Re-RAM) Devices and their Applications. (2019) REVIEWS ON ADVANCED MATERIALS SCIENCE 1606-5131 1605-8127 58 1 248-270
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31161413] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 31161413, Kapcsolat: 28788242
  4. Sadovnikov S. et al. Direct TEM observation of the "acanthite alpha-Ag2-Sargentite beta-Ag2S" phase transition in a silver sulfide nanoparticle. (2019) Nanoscale Advances 2516-0230 1 4 1581-1588
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31017029] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 31017029, Kapcsolat: 28569257
  5. Sun Bai et al. The DNA strand assisted conductive filament mechanism for improved resistive switching memory. (2015) JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 2050-7526 2050-7534 3 46 12149-12155
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25383178] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25383178, Kapcsolat: 25458194
2020-02-18 16:23