B Kovács et al. Al-Ge; as a new material for ohmic contacts to GaAs. (1984) Megjelent: Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors pp. C18-C18, 2323422
Egyéb konferenciaközlemény/Absztrakt / Kivonat (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[2323422]
  1. Dávid Jajos. Többkomponensű fém-vegyületfélvezető átmenet vizsgálata. (1997)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[21128309] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21128309, Kapcsolat: 23135900
LALINSKY T et al. OPTIMIZATION OF THE HEAT-TREATMENT FOR FORMING AUGE BASED CONTACTS TO N-GAAS. (1985) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6319 1862-6300 88 1 K87-K90, 1107936
Folyóiratcikk/Rövid közlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[1107936]
  1. LAKHANI AA. PASSIVATION OF OHMIC CONTACTS TO GAAS DURING ALLOYING. (1986) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 59 6 2082-2086
    Folyóiratcikk[23901791] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23901791, Kapcsolat: 20287216
Mojzes I et al. Thermal dissociation of III-V compounds physico-chemical effects influencing the contact parameters. (1985) Megjelent: Physical problems in microelectronics pp. 214-286, 1201597
Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[1201597]
  1. Horváth ZsJ et al. Nincs cím. (1998) Megjelent: 2nd World Conf. On Photovoltaic Solar Energy Conversion pp. 3711-3714
    Egyéb konferenciaközlemény[20741993] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20741993, Kapcsolat: 20741993
  2. Dobos L. Fém - vegyület-félvezető szerkezetek fraktáltulajdonságai. (1998)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[24995005] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24995005, Kapcsolat: 23135947
  3. Horváth Zs. Nincs cím. (1997) Megjelent: 33rd Int. Conf. on Microelectronics, devices and Materials pp. 275-280
    Egyéb konferenciaközlemény[20741996] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 20741996, Kapcsolat: 20741996
Horváth Zs et al. The effect of dopant concentration on the electrical behaviour of GaAs-CrAu junctions. (1986) Megjelent: The seventh Czechoslovak Conference on Electronics and Vacuum Physics pp. 747-753, 1219487
Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[1219487]
  1. Hudait MK et al. Doping dependence of the barrier height and ideality factor of Au/n-GaAs Schottky diodes at low temperatures. (2001) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 307 1-4 125-137
    Folyóiratcikk[22713745] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 22713745, Kapcsolat: 21123774
Jaroli E et al. INTERMETALLIC COMPOUND FORMATION OF GE-NI AND GE-AL-NI SYSTEMS BY FURNACE ANNEALING AND ION-BEAM INTERMIXING. (1986) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 0168-583X 1872-9584 15 703-706, 1067969
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1067969]
  1. Dhar S et al. Compound formation under local thermal spikes during ion-beam mixing: Model and its experimental verification. (1996) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 54 8 5769-5776
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20314858] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20314858, Kapcsolat: 20314858
  2. MCGUIRE GE. SURFACE CHARACTERIZATION. (1987) ANALYTICAL CHEMISTRY 0003-2700 1520-6882 59 12 R294-R308
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20559569] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20559569, Kapcsolat: 20314857
Kovacs B et al. Influence of Finite Metal Overlayer Resistance on the Evaluation of Contact Resistivity. (1986) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 0018-9383 33 9 1401-1403, 2608624
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2608624]
  1. Abraham Michael et al. Very low resistance alloyed Ni-based ohmic contacts to InP-capped and uncapped n(+)-In0.53Ga0.47As. (2014) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 116 16
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24905631] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 24905631, Kapcsolat: 24905631
  2. Eidelloth S et al. Analytical Theory for Extracting Specific Contact Resistances of Thick Samples From the Transmission Line Method. (2014) IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 0741-3106 35 1 9-11
    Folyóiratcikk[23901840] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 23901840, Kapcsolat: 23901840
  3. Dormaier R. Factors controlling the resistance of Ohmic contacts to n-InGaAs. (2012) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 30 3
    Folyóiratcikk[23901839] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23901839, Kapcsolat: 23901839
  4. Dobos L. Fém - vegyület-félvezető szerkezetek fraktáltulajdonságai. (1998)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[24995005] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24995005, Kapcsolat: 24119343
  5. Kim TJ et al. Ohmic contacts to GaAs epitaxial layers. (1997) CRITICAL REVIEWS IN SOLID STATE AND MATERIALS SCIENCES 1040-8436 22 3 239-273
    Folyóiratcikk[20559565] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20559565, Kapcsolat: 24119342
  6. GUTAI L. STATISTICAL MODELING OF TRANSMISSION-LINE MODEL TEST STRUCTURES .2. TLM TEST STRUCTURE WITH 4 OR MORE TERMINALS - A NOVEL METHOD TO CHARACTERIZE NONIDEAL PLANAR CONTACTS IN PRESENCE OF INHOMOGENEITIES. (1990) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 0018-9383 37 11 2361-2380
    Folyóiratcikk[23901835] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23901835, Kapcsolat: 23901835
  7. Schroder D. Semiconductor Material and Device Characterization. (1990)
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[24119341] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 24119341, Kapcsolat: 24119341
  8. IKOSSIANASTASIOU K et al. TEMPERATURE-DEPENDENCE OF TRANSIENT AND CONVENTIONAL ANNEALED ALGAAS GAAS MODFET OHMIC CONTACTS. (1988) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 0018-9383 35 11 1786-1792
    Folyóiratcikk[23901838] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23901838, Kapcsolat: 23901838
  9. DELALAMO JA et al. AUGENI OHMIC CONTACTS TO N-INP FOR FET APPLICATIONS. (1988) SOLID-STATE ELECTRONICS 0038-1101 31 11 1635-1639
    Folyóiratcikk[23901837] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23901837, Kapcsolat: 23901837
Mojzes I et al. Metal-film Barriers Against The Evaporation of Volatile Components During The Heat-treatment of Metal-compound Semiconductor Contacts. (1988) THIN SOLID FILMS 0040-6090 164 1-4, 1080294
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1080294]
  1. Antal Ürmös et al. Contact problems in GaAs-based solar cells. (2018) ACTA POLYTECHNICA HUNGARICA 1785-8860 15 6 99-124
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[3379050] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 3379050, Kapcsolat: 27899397
  2. Zhang K et al. Improved Au/Zn/Au ohmic contacts for p-type InP. (2008) Megjelent: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
    Könyvrészlet[24119371] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24119371, Kapcsolat: 24119371
  3. Riesz F et al. Thermal decomposition of InP surfaces: volatile component loss, morphological changes, and pattern formation. (2001) MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B - SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 0921-5107 80 1-3 54-59
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1233455] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1233455, Kapcsolat: 20559752
  4. Riesz F et al. Thermal decomposition of bulk and heteroepitaxial (100) InP surfaces: A combined in-situ scanning electron microscopy and mass spectrometric study. (1998) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 16 5 2672-2674
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228948] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1228948, Kapcsolat: 20559753
  5. Dobos L. Fém - vegyület-félvezető szerkezetek fraktáltulajdonságai. (1998)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[24995005] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24995005, Kapcsolat: 23135960
  6. Riesz F et al. An atomic force microscopy study of the surface morphology of InP/GaAs heteroepitaxial layers subjected to rapid thermal annealing. (1998) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 83 1 246-249
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1228941] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1228941, Kapcsolat: 20559754
  7. Riesz F et al. Some aspects of the thermal decomposition of InP surfaces. (1997) Megjelent: 9th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices. pp. 352-355
    Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[23135834] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 23135834, Kapcsolat: 23135834
  8. Riesz F et al. Experimental study of the thermal decomposition of heteroepitaxial and bulk InP. (1997) Megjelent: HEAD ‘97, 3rd. Int. Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices pp. 111-117
    Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[23135844] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23135844, Kapcsolat: 23135844
  9. Riesz F et al. A combined in-situ scanning electron microscopy and mass spectrometric study of the thermal decomposition of InP. (1997)
    Egyéb/Nem besorolt (Egyéb)/Tudományos[23135858] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 23135858, Kapcsolat: 23135826
B Kovács. Ohmos kontaktusok vegyületfélvezető alapú, nagyfrekvenciás eszközök készítéséhez. (1990), 2323394
Disszertáció/Kandidátus (Disszertáció)/Tudományos[2323394]
  1. Dobos L. Fém - vegyület-félvezető szerkezetek fraktáltulajdonságai. (1998)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[24995005] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24995005, Kapcsolat: 23135885
  2. Dávid Jajos. Többkomponensű fém-vegyületfélvezető átmenet vizsgálata. (1997)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[21128309] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21128309, Kapcsolat: 23135881
  3. Pécz B. Au/AIIIBV kontaktusok szerkezete: Szilárdfázisú reakciók az Au/GaAs, Au/Pd/GaAs és Au/inP rendszerekben. (1992)
    Disszertáció/Kandidátus (Disszertáció)/Tudományos[23135868] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 23135868, Kapcsolat: 23135868
I Mojzes et al. Thermal decomposition of compound semiconductors covered with thin metallic layers. (1991) PERIODICA POLYTECHNICA-ELECTRICAL ENGINEERING 0324-6000 1587-3781 2064-5260 2064-5279 35 4 235-249, 1200804
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1200804]
  1. Antal Ürmös et al. Contact problems in GaAs-based solar cells. (2018) ACTA POLYTECHNICA HUNGARICA 1785-8860 15 6 99-124
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[3379050] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 3379050, Kapcsolat: 28764658
B Kovács et al. Comparative electrical study of epitaxial and polycrystalline GdSi2/(100)p-Si Schottky barriers. (1992) MRS SYMPOSIUM PROCEEDINGS 0272-9172 260 697-700, 2124857
Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[2124857]
  1. Werner JH et al. Schottky Contacts on Silicon. (1994) Megjelent: Silicon-Based Millimeter-Wave Devices pp. 89-148
    Könyvrészlet/Könyvfejezet (Könyvrészlet)/Tudományos[23060048] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23060048, Kapcsolat: 23060048
L Dobos et al. The volatile component loss and the surface morphology of the gold-palladium metallizations to the compound semiconductor structure. (1992) MRS SYMPOSIUM PROCEEDINGS 0272-9172 260 641-646, 2626382
Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[2626382]
  1. 1 Dávid. Többkomponensű fémvegyület-félvezető átmenet vizsgálata. (1998)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[24995002] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 24995002, Kapcsolat: 24995002
Horváth ZJ et al. Effect of crystallization on the electrical and interface characteristics of GdSi2/p-Si Schotty junctions. (1993) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 126 1 163-167, 1227644
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1227644]
  1. Monch W. Some comments on the determination and interpretation of barrier heights of metal-semiconductor contacts. (2007) APPLIED PHYSICS A - MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING 0947-8396 1432-0630 87 3 359-366
    Folyóiratcikk[23585242] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23585242, Kapcsolat: 23585242
  2. Matukas J et al. InGaAsP laser diode quality investigation and their noise characteristics. (2005) Megjelent: Optical Materials and Applications pp. 209-299
    Egyéb konferenciaközlemény[21003786] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21003786, Kapcsolat: 21003786
  3. Mönch W. Electronic properties of semiconductor interfaces. (2004) ISBN:3540202153
    Könyv[20617922] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20617922, Kapcsolat: 20617922
  4. Bossuyt E. Kristalkwaliteit en elastische vervorming van zeldzame-aardsilicides op silicium.: Eindverhandeling ingediend tot het behalen van de graad van licentiaat in de naturkunde. Katholieke Universiteit Leuven, Instituut voor Kern- en Stralingsfysika. (2002)
    Disszertáció/Nem besorolt (Disszertáció)/Tudományos[20616365] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20616365, Kapcsolat: 20617927
  5. Mönch W. Semiconductor Surfaces and Interfaces: 3rd. Revised Edition. (2001) ISBN:3540679022
    Könyv[20617919] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20617919, Kapcsolat: 20617919
  6. Chen LJ. Solid state amorphization in metal/Si systems. (2000) MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS 0927-796X 29 5 115-152
    Folyóiratcikk[20617897] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20617897, Kapcsolat: 20617897
  7. Drummond TJ. Silicide Schottky Contacts to Silicon: Screened Pinning at Defect Levels. (1999)
    Egyéb[20617936] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20617936, Kapcsolat: 20617936
  8. Chen JC et al. Growth kinetics of amorphous interlayers by solid-state diffusion in ultrahigh vacuum deposited polycrystalline Gd thin films on (001) Si. (1998) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 84 11 6083-6087
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20617893] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20617893, Kapcsolat: 20617893
  9. Luo CH et al. Growth kinetics of amorphous interlayers and formation of crystalline silicide phases in ultrahigh vacuum deposited polycrystalline Er and Tb thin films on (001)Si. (1997) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 82 8 3808-3814
    Folyóiratcikk[20617891] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20617891, Kapcsolat: 20617891
Kourkoutas CD et al. A study of the profile of the E3 electron trap in GaAs. (1994) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 89 1 45-49, 138661
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[138661]
  1. Salameh D et al. Study of the relation between doping profile and diode CV characteristics. (1999) IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES 0018-9480 47 4 506-509
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)[10191720] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 10191720, Kapcsolat: 10191720
Szentpáli B et al. Measurement Techniques for the Determination of Doping and Mobility Profiles in GaAs Epitaxial Layers. (1994) ACTA PHYSICA HUNGARICA 0231-4428 74 1-2 21-30, 138617
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[138617]
  1. Dozsa L. New approach to capacitance studies of 'DX' centers. (2003) DEFECT AND DIFFUSION FORUM 1012-0386 1662-9507 221-223 11-22
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1205893] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1205893, Kapcsolat: 20635288
  2. L Dózsa. Instability of current-voltage characteristics of resonant tunnelling diodes. (1996) Megjelent: Proceeding of the International Conference ASDAM '96 pp. 193-196
    Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[1229255] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 1229255, Kapcsolat: 20635286
KOVACS B et al. CURRENT-VOLTAGE ANOMALIES ON POLYCRYSTALLINE GDSI2/P-SI SCHOTTKY JUNCTIONS DUE TO GRAIN-BOUNDARIES. (1995) VACUUM 0042-207X 1879-2715 46 8-10 983-985, 1229078
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1229078]
  1. Al-Ghamdi A et al. Modification of interface states and series resistance properties of Al/p-type Si Schottky diode with HF chemical treatment. (2012) OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS–RAPID COMMUNICATIONS 1842-6573 2065-3824 6 1-2 292-295
    Folyóiratcikk[22392651] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22392651, Kapcsolat: 22392651
  2. Nissim A et al. Effect of substrate bias voltage on the properties of magnetron-sputtered gadolinium layers. (2007) SURFACE AND COATINGS TECHNOLOGY 0257-8972 1879-3347 201 16-17 7054-7059
    Folyóiratcikk[20578790] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20578790, Kapcsolat: 20578790
David L et al. Electrical And Microstructure Analysis of Ni/ge/n-gaas Interface. (1998) THIN SOLID FILMS 0040-6090 323 1-2 212-216, 1080332
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1080332]
  1. Kok YP. Influence of contact dimension on end resistance characterization for transmission line model. (2004) Megjelent: 2004 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings pp. 10-14
    Egyéb konferenciaközlemény[24103439] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24103439, Kapcsolat: 24103439
Kovács B et al. Pattern formation on the surface of heat treated metallizations of compound semiconductors. (1998) Megjelent: 7th Joint Vacuum Conference of Hungary, Austria, Croatia and Slovenia pp. 121-122, 1924304
Könyvrészlet/Absztrakt / Kivonat (Könyvrészlet)/Tudományos[1924304]
  1. Ballai Győző. Felületi alakzatok számítógépes vizsgálata vegyületfélvezető felületeken elektrokémiai rétegeltávolítás után. (1999)
    Egyéb[22239556] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22239556, Kapcsolat: 22239552
Mojzes I et al. Fractal behaviour of the surface of in situ heat treated metal-InP contacts. (1998) THIN SOLID FILMS 0040-6090 317 1-2 69-71, 1107947
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1107947]
  1. Varga Á et al. Investigation of the Urbanistical Complexity in Global Scale. (2013) Megjelent: Proceedings of IEEE 9th International Conference on Computational Cybernetics (ICCC 2013) pp. 181-184
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[2360212] []
    Független, Idéző: 2360212, Kapcsolat: 26444540
  2. Égerházi L et al. Inverted fractal analysis of TiOx thin layers grown by inverse pulsed laser deposition. (2013) APPLIED SURFACE SCIENCE 0169-4332 1873-5584 278 106-110
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2356333] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 2356333, Kapcsolat: 23497267
  3. Mojzes I et al. Heat treatment parameters effecting the fractal dimensions of AuGe metallization on GaAs. (2007) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 91 7
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1083215] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 1083215, Kapcsolat: 20287181
  4. Ballai Győző. Felületi alakzatok számítógépes vizsgálata vegyületfélvezető felületeken elektrokémiai rétegeltávolítás után. (1999)
    Egyéb[22239556] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22239556, Kapcsolat: 22239556
Nemcsics Á et al. Pattern formation on the compound semiconductor surface after selective electrochemical etching. (1998) Megjelent: Advanced Semiconductor Devices and Microsystems pp. 39-42, 139173
Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[139173]
  1. Ballai Győző. Felületi alakzatok számítógépes vizsgálata vegyületfélvezető felületeken elektrokémiai rétegeltávolítás után. (1999)
    Egyéb[22239556] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22239556, Kapcsolat: 22239598
Kocsis Z et al. Conductivity Modification of Silver Salt-filled Polyimide Film by Pulsed Krf Laser. (2002) JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 0361-5235 31 4 239-243, 1083935
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1083935]
  1. Liu Y. Preparation of high-grade electrical conductivity on polyvinylidene fluoride films by KrF excimer laser irradiation. (2010) Zhongguo Jiguang / Chinese Journal of Lasers 37 4 1122-1126
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23135339] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23135339, Kapcsolat: 23135339
David L et al. Fractal Character of in Situ Heat Treated Metal-compound Semiconductor Contacts. (2006) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS 0957-4522 1573-482X 17 4 321-324, 1080402
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1080402]
  1. Mahjani Mohamad Ghassem et al. Surface investigation by electrochemical methods and application of chaos theory and fractal geometry. (2016) CHAOS SOLITONS & FRACTALS 0960-0779 91 598-603
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26220171] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26220171, Kapcsolat: 26220170
  2. Babak Nikoobakht et al. Vapor–Liquid–Solid Etch of Semiconductor Surface Channels by Running Gold Nanodroplets. (2015) NANO LETTERS 1530-6984 1530-6992 15 12 8360-8364
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25221306] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25221306, Kapcsolat: 25221306
  3. Varga Á et al. Investigation of the Urbanistical Complexity in Global Scale. (2013) Megjelent: Proceedings of IEEE 9th International Conference on Computational Cybernetics (ICCC 2013) pp. 181-184
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[2360212] []
    Független, Idéző: 2360212, Kapcsolat: 24442624
2020-09-26 14:42