DEAK P. MODELING OF STRESS-INDUCED DIAMOND NUCLEATION. (1995) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 4 5-6 706-709, 1279219
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1279219]
  1. Zhang RQ et al. Step-by-step simulations of diamond nucleation and growth on a silicon (001) surface. (2000) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 9 2 146-155
    Folyóiratcikk[20834745] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834745, Kapcsolat: 20834745
  2. Artamonov V et al. Raman spectroscopy and microhardness of ion-implanted a-C : H-films. (2000) CERAMICS INTERNATIONAL 0272-8842 26 1 29-32
    Folyóiratcikk[20834746] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834746, Kapcsolat: 20834746
  3. Zhang RQ et al. Theoretical study on misoriented diamond nucleations on Si(001) surface. (1999) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 8 8-9 1418-1422
    Folyóiratcikk[20834747] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834747, Kapcsolat: 20834747
  4. Zhang RQ et al. Size dependence of energy gaps in small carbon clusters: the origin of broadband luminescence. (1998) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 7 11-12 1663-1668
    Folyóiratcikk[20834749] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834749, Kapcsolat: 20834749
  5. Jiang X et al. Local strain in interface: Origin of grain tilting in diamond (001) silicon (001) heteroepitaxy. (1998) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 58 23 15351-15354
    Folyóiratcikk[20834750] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834750, Kapcsolat: 20834750
  6. Yugo S et al. Formation mechanisms of diamond precursors during the nucleation process. (1997) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 6 8 1047-1050
    Folyóiratcikk[20834751] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834751, Kapcsolat: 20834751
  7. Artamonov VV et al. Diagnostics of nitrogen implanted diamond-like carbon films by optical and microhardness measurements. (1997) Megjelent: International Conference on Optical Diagnosis of Materials and Devices for Opto-, Micro and Quantum Electronics 1997 pp. 339-345
    Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[23101874] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23101874, Kapcsolat: 23101874
  8. Lee JS et al. Deposition of diamond films on SiO2 surfaces using a high power microwave enhanced chemical vapor deposition process. (1997) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 81 1 486-491
    Folyóiratcikk[20834752] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834752, Kapcsolat: 20834752
Gali A et al. Calculation of migration barriers on hydrogenated diamond surfaces. (1996) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 5 6-8 613-616, 1279218
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1279218]
  1. Emi J et al. Characteristics of carbon-related materials deposited in electron-energy controlled CH4/H-2 RF discharge plasmas. (2011) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 20 4 568-572
    Folyóiratcikk[22364402] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364402, Kapcsolat: 22364402
  2. Van Regemorter et al. Effect of Substitutional N on Important Chemical Vapor Deposition Diamond Growth Steps. (2009) JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A 1089-5639 1520-5215 113 13 3274-3284
    Folyóiratcikk[20834754] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834754, Kapcsolat: 20834754
  3. Kovach G et al. Modified π-states in ion-irradiated carbon. (2008) APPLIED SURFACE SCIENCE 0169-4332 1873-5584 254 9 2790-2796
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1192308] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 1192308, Kapcsolat: 20834755
  4. Kovach G et al. Thin Film Carbon Layers with Continously Changing Bonding Properties. (2007) Megjelent: Materials Science, Testing and Informatics III pp. 207-214
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[1210963] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1210963, Kapcsolat: 24893119
  5. Gehin Th. Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin. (2004)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[23461969] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23461969, Kapcsolat: 23461969
  6. Larsson K et al. Surface migration during diamond growth studied by molecular orbital calculations. (1999) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 59 12 8315-8322
    Folyóiratcikk[20834757] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834757, Kapcsolat: 20834757
  7. Lee NS et al. A study on surface morphologies of (001) homoepitaxial diamond films. (1997) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 6 1 130-145
    Folyóiratcikk[20834758] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834758, Kapcsolat: 20834758
Gali A et al. Shallow N-O donors in silicon. (1996) Megjelent: EARLY STAGES OF OXYGEN PRECIPITATION IN SILICON pp. 419-425, 2275904
Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[2275904]
  1. Ono H. Nitrogen-oxygen complexes associated with shallow thermal donors in silicon. (2008) APPLIED PHYSICS EXPRESS 1882-0778 1 2 p. 025001
    Folyóiratcikk[23100428] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 23100428, Kapcsolat: 23100428
Gali A et al. Theoretical studies on nitrogen-oxygen complexes in silicon. (1996) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 0953-8984 1361-648X 8 41 7711-7722, 1279217
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1279217]
  1. Sgourou EN et al. Infrared study of defects in nitrogen-doped electron irradiated silicon. (2016) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS 0957-4522 1573-482X 27 2 2054-2061
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31398161] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 31398161, Kapcsolat: 25783415
  2. Diliegros-Godines C et al. Structural, electrical and optical properties of tin doped cadmium oxide thin films obtained by sol-gel. (2014) JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY 0928-0707 70 3 500-505
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24182921] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 24182921, Kapcsolat: 24182921
  3. Binetti S et al. Photoluminescence and infrared spectroscopy for the study of defects in silicon for photovoltaic applications. (2014) SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 0927-0248 130 696-703
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24449227] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 24449227, Kapcsolat: 24449227
  4. Stavola M et al. Light-element impurities and their reactions in multicrystalline Si. (2014) SOLID STATE PHENOMENA 1012-0394 1662-9779 205-206 201-208
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23461860] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 23461860, Kapcsolat: 23461860
  5. Yun Y et al. A Study on Electron Impact Dissociative Ionization of Organosilicon Precursors for Plasma Processing. (2014) JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 1533-4880 1533-4899 14 12 9653-9656
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24449226] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 24449226, Kapcsolat: 24449226
  6. Zhang HX et al. Nitrogen-containing point defects in multi-crystalline Si solar-cell materials. (2013) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 114 9
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23461855] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 23461855, Kapcsolat: 23461855
  7. Yu XG et al. Impurity engineering of Czochralski silicon. (2013) MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS 0927-796X 74 1-2 1-33
    Folyóiratcikk[23461891] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23461891, Kapcsolat: 23461891
  8. Alt HC et al. Symmetry and structure of N-O shallow donor complexes in silicon. (2012) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 407 15 2985-2988
    Folyóiratcikk[23461892] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23461892, Kapcsolat: 23461892
  9. Alt HC et al. Piezospectroscopy of nitrogen-oxygen shallow donor complexes in silicon. (2010) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 82 11
    Folyóiratcikk[21076646] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21076646, Kapcsolat: 21076646
  10. Alt H et al. Thermal stability and vibrational spectroscopy of N-O shallow donor centers in silicon. (2009) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 106 10
    Folyóiratcikk[22364406] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364406, Kapcsolat: 22364406
  11. Morris AJ et al. Hydrogen/nitrogen/oxygen defect complexes in silicon from computational searches. (2009) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 80 14
    Folyóiratcikk[20834730] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834730, Kapcsolat: 20834730
  12. Alt H et al. Comparative mid- and far-infrared spectroscopy of nitrogen-oxygen complexes in silicon. (2009) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 404 23-24 4549-4551
    Folyóiratcikk[22364407] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364407, Kapcsolat: 22364407
  13. Windl W. Ab-initio modeling of point defects, impurities and diffusion in silicon. (2008) ECS TRANSACTIONS 1938-5862 1938-6737 16 6 89-96
    Folyóiratcikk[22364408] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364408, Kapcsolat: 22364408
  14. Wagner HE et al. N-O related shallow donors in silicon: Stoichiometry investigations. (2007) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 91 15
    Folyóiratcikk[20834731] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834731, Kapcsolat: 20834731
  15. Alt HCh. Material Characterization Issues of Nitrogen in Silicon. (2007) ECS TRANSACTIONS 1938-5862 1938-6737 11 149-159
    Folyóiratcikk[20834761] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834761, Kapcsolat: 20834761
  16. Alt HC et al. Chemical composition of nitrogen-oxygen shallow donor complexes in silicon. (2007) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 401 130-133
    Folyóiratcikk[20834732] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834732, Kapcsolat: 20834732
  17. Sommerfeld T et al. Small silicon-oxygen dianions in the gas phase. (2006) CHEMICAL PHYSICS 0301-0104 329 1-3 216-221
    Folyóiratcikk[20834733] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834733, Kapcsolat: 20834733
  18. Inoue N et al. Local vibration modes of shallow thermal donors in nitrogen-doped CZ silicon crystals. (2006) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 376 101-104
    Folyóiratcikk[20834734] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834734, Kapcsolat: 20834734
  19. Inoue N et al. Infrared absorption peaks in nitrogen doped CZ silicon. (2006) MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 134 2-3 202-206
    Folyóiratcikk[20834735] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834735, Kapcsolat: 20834735
  20. Stoddard N et al. Ab initio identification of the nitrogen diffusion mechanism in silicon. (2005) PHYSICAL REVIEW LETTERS 0031-9007 1079-7114 95 2
    Folyóiratcikk[20834736] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834736, Kapcsolat: 20834736
  21. Voronkov VV et al. Nitrogen diffusion and interaction with oxygen in Si. (2004) SOLID STATE PHENOMENA 1012-0394 1662-9779 95-96 83-92
    Folyóiratcikk[20834737] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834737, Kapcsolat: 20834737
  22. Nakatsu M et al. Measurement of nitrogen concentration in CZ-Si below 10 14/ cm 3 by IR absorption spectroscopy. (2004) Megjelent: Proceedings - Electrochemical Society pp. 102-108
    Egyéb konferenciaközlemény[22364409] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364409, Kapcsolat: 22364409
  23. Butschke J. Die SOI-Scheibe der Mikroelektronik als neue Prozessbasis fur nanostrukturierte Silizium Membranmasken. (2003)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[23461958] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23461958, Kapcsolat: 23461958
  24. von Ammon W et al. On the mechanism of defect suppression in nitrogen-doped silicon single crystals. (2002) SOLID STATE PHENOMENA 1012-0394 1662-9779 82-84 17-24
    Folyóiratcikk[20834738] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834738, Kapcsolat: 20834738
  25. Sawada H et al. Atomistic model of nitrogen-pair diffusion in silicon. (2002) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 65 7
    Folyóiratcikk[20834739] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834739, Kapcsolat: 20834739
  26. von Ammon W et al. The impact of nitrogen on the defect aggregation in silicon. (2001) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 226 1 19-30
    Folyóiratcikk[20834740] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834740, Kapcsolat: 20834740
  27. Sawada H et al. First principles calculation of interaction between nitrogen atoms and vacancies in silicon. (2001) Nippon Steel Technical Report 0300-306X 2001 83 37-41
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22364410] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364410, Kapcsolat: 22364410
  28. Sawada H et al. First-principles calculation of the interaction between nitrogen atoms and vacancies in silicon. (2000) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 62 3 1851-1858
    Folyóiratcikk[20834741] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834741, Kapcsolat: 20834741
Deak P et al. Theoretical Studies on Defects in SiC. (1997) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 258-263 739-744, 1307823
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1307823]
  1. Zywietz A et al. Vacancies in SiC: Influence of Jahn-Teller distortions, spin effects, and crystal structure. (1999) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 59 23 15166-15180
    Folyóiratcikk[20829825] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829825, Kapcsolat: 20829807
  2. Zywietz A et al. Neutral Vacancies in Group-IV Semiconductors. (1999) PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 0370-1972 1521-3951 210 1 13-29
    Folyóiratcikk[20829830] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829830, Kapcsolat: 20829830
Tarnay K et al. Examination of MOS Structures by a 3D Particle Dynamics Monte-carlo Simulator Including Electrothermal Effects. (1997) PHYSICA SCRIPTA 0031-8949 1402-4896 T69 290-294, 2607101
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2607101]
  1. G Farkas et al. Thermal Transient Measurement of Insulated Gate Devices Using the Thermal Properties of the Channel Resistance and Parasitic Elements. (2015) MICROELECTRONICS JOURNAL 0026-2692 0959-8324 46 12 Part: A 1185-1194
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[2977845] []
    Független, Idéző: 2977845, Kapcsolat: 25412363
  2. Pilgrim NJ et al. Nanoscale electrothermal co-simulation: compact dynamic models of hyperbolic heat transport and self-consistent device Monte Carlo. (2004) MICROELECTRONICS JOURNAL 0026-2692 0959-8324 35 10 823-830
    Folyóiratcikk[23893047] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23893047, Kapcsolat: 23893047
  3. N J Pilgrim et al. Electrothermal Monte Carlo Simulations of InGaAs/AlGaAs HEMTs. (2003) JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS 1569-8025 2 2-4 207-211
    Folyóiratcikk[23893052] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23893052, Kapcsolat: 23893052
  4. N J PILGRIM et al. Thermally Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations. (2002) JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS 1569-8025 1 1-2 263-266
    Folyóiratcikk[23893051] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23893051, Kapcsolat: 23893051
  5. N Pilgrim et al. Nanoscale electrothermal co-simulation: compact dynamic models of hyperbolic heat transport and self-consistent device Monte Carlo. (2002) Megjelent: Proceedings of the 9th International Workshop on THERMal INvestigations of ICs and Systems (THERMINIC'03) pp. 239-244
    Egyéb konferenciaközlemény[23893048] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23893048, Kapcsolat: 23893048
Deak P et al. Theoretical Studies on Defects in SiC. (1998) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 264-268 279-282, 1307822
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1307822]
  1. Oda T et al. Study of intrinsic defects in 3C-SiC using first-principles calculation with a hybrid functional. (2013) JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 0021-9606 1089-7690 139 12
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23717872] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 23717872, Kapcsolat: 23717872
  2. Davydov SY et al. On the effect of vacancies in the silicon and carbon sublattices on the formation of a Schottky barrier at the metal-SiC interface. (2006) SEMICONDUCTORS 1063-7826 1090-6479 40 3 299-301
    Folyóiratcikk[20829811] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829811, Kapcsolat: 20829811
  3. Parfenova II. Substitutional 3d impurities in cubic silicon carbide. (2004) SEMICONDUCTORS 1063-7826 1090-6479 38 2 189-191
    Folyóiratcikk[20829812] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829812, Kapcsolat: 20829812
  4. Losurdo M et al. Study of the interaction of 4H-SiC and 6H-SiC(0001)(Si) surfaces with atomic nitrogen. (2004) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 85 18 4034-4036
    Folyóiratcikk[20829813] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829813, Kapcsolat: 20829813
  5. Rurali R et al. First-principles study of n-type dopants and their clustering in SiC. (2003) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 82 24 4298-4300
    Folyóiratcikk[20838509] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20838509, Kapcsolat: 20829814
  6. Olander J et al. Adsorption of N-containing species onto SiC(0001) surfaces: A theoretical study. (2003) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 67 11 p. 115306
    Folyóiratcikk[20829815] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829815, Kapcsolat: 20829815
  7. Parfenova II et al. Solubility of impurities in silicon carbide during vapor growth. (2002) INORGANIC MATERIALS 0020-1685 1608-3172 38 5 476-481
    Folyóiratcikk[20829816] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829816, Kapcsolat: 20829816
  8. Davydov SY et al. Role of silicon vacancies in formation of Schottky barriers at Ag and Au contacts to 3C- and 6H-SiC. (2002) SEMICONDUCTORS 1063-7826 1090-6479 36 6 652-654
    Folyóiratcikk[20829817] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829817, Kapcsolat: 20829817
  9. Parfenova II et al. A simple model of 3d impurities in cubic silicon carbide. (2002) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 433-434 515-518
    Folyóiratcikk[20829819] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829819, Kapcsolat: 20829819
  10. Davydov SY et al. The contact of metal with silicon carbide: Schottky barrier height in relation to SiC polytype. (2001) SEMICONDUCTORS 1063-7826 1090-6479 35 12 1375-1377
    Folyóiratcikk[20829820] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829820, Kapcsolat: 20829820
  11. Reshanov SA et al. Group III-V impurities in beta-SiC: lattice distortions and solubility. (2001) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 10 3-7 1278-1282
    Folyóiratcikk[20829821] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829821, Kapcsolat: 20829821
  12. Zywietz A et al. Vacancies in SiC: Influence of Jahn-Teller distortions, spin effects, and crystal structure. (1999) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 59 23 15166-15180
    Folyóiratcikk[20829825] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829825, Kapcsolat: 20829825
  13. Furthmuller J et al. Monovacancies in 3C and 4H SiC. (1999) MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 61-2 244-247
    Folyóiratcikk[20829827] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829827, Kapcsolat: 20829827
  14. Di Ventra M et al. Atomic-scale mechanisms of oxygen precipitation and thin-film oxidation of SiC. (1999) PHYSICAL REVIEW LETTERS 0031-9007 1079-7114 83 8 1624-1627
    Folyóiratcikk[20829828] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20829828, Kapcsolat: 20829828
Deak P et al. The spin state of the neutral silicon vacancy in 3C-SiC. (1999) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 75 14 2103-2105, 1279212
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1279212]
  1. Ferrari AM et al. Substitutional nitrogen in diamond: A quantum mechanical investigation of the electronic and spectroscopic properties. (2018) CARBON 0008-6223 134 354-365
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31398680] [Jóváhagyott]
    Független, Idéző: 31398680, Kapcsolat: 27563735
  2. Iwata JI et al. Density-functional study of atomic and electronic structures of multivacancies in silicon carbide. (2016) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 93 12
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31398154] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 31398154, Kapcsolat: 25785271
  3. Xi J et al. Ab initio study of point defects near stacking faults in 3C-SiC. (2016) COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE 0927-0256 123 131-138
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26115398] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 26115398, Kapcsolat: 26115398
  4. Lin L et al. Vacancy induced magnetism in N-doped 4H-SiC by first-principle calculations. (2015) SOLID STATE SCIENCES 1293-2558 49 78-82
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25128662] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 25128662, Kapcsolat: 25128662
  5. Oda T et al. Study of intrinsic defects in 3C-SiC using first-principles calculation with a hybrid functional. (2013) JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 0021-9606 1089-7690 139 12
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23717872] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 23717872, Kapcsolat: 23717871
  6. Lambrecht WRL. Which Electronic Structure Method for The Study of Defects: A Commentary. (2011) Megjelent: Advanced Calculations for Defects in Materials: Electronic Structure Methods pp. 359-379
    Könyvrészlet/Könyvfejezet (Könyvrészlet)/Tudományos[23456113] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 23456113, Kapcsolat: 23848504
  7. Lambrecht Walter R. Which electronic structure method for the study of defects: A commentary. (2011) PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 0370-1972 1521-3951 248 7 1547-1558
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24716885] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 24716885, Kapcsolat: 22364425
  8. Bruneval F et al. Energetics and metastability of the silicon vacancy in cubic SiC. (2011) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 83 14
    Folyóiratcikk[22364426] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364426, Kapcsolat: 22364426
  9. Lefevre J et al. Characterization of a silicon-related defect detected by its excited triplet state in electron-irradiated 3C-SiC. (2011) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 83 7
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[23564669] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 23564669, Kapcsolat: 22364427
  10. Baierle RJ et al. Ab initio study of native defects in SiC nanotubes. (2006) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 74 15
    Folyóiratcikk[20840026] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20840026, Kapcsolat: 20834764
  11. F Bechstedt. Zero- and Two-dimensional Native Defects. (2003) Megjelent: Silicon Carbide - Recent Major Advances pp. 3-25
    Könyvrészlet[20834785] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834785, Kapcsolat: 20834785
  12. Orlinski SB et al. Silicon and carbon vacancies in neutron-irradiated SiC: A high-field electron paramagnetic resonance study. (2003) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 67 12
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20834766] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834766, Kapcsolat: 20834766
  13. M Bockstedte. Defect Migration and Annealing Mechanism. (2003) Megjelent: Silicon Carbide - Recent Major Advances pp. 27-55
    Könyvrészlet[20834784] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834784, Kapcsolat: 20834784
  14. Bockstedte M et al. Ab initio study of the migration of intrinsic defects in 3C-SiC. (2003) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 68 20
    Folyóiratcikk[20834768] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834768, Kapcsolat: 20834768
  15. Steeds JW et al. Transmission electron microscope radiation damage of 4H and 6H SiC studied by photoluminescence spectroscopy. (2002) DIAMOND AND RELATED MATERIALS 0925-9635 11 12 1923-1945
    Folyóiratcikk[20834769] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834769, Kapcsolat: 20834769
  16. Bratus VY et al. Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SiC. (2001) APPLIED SURFACE SCIENCE 0169-4332 1873-5584 184 1-4 229-236
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20834826] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834826, Kapcsolat: 20834770
  17. Lingner T et al. Structure of the silicon vacancy in 6H-SiC after annealing identified as the carbon vacancy-carbon antisite pair. (2001) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 64 24
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1122788] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1122788, Kapcsolat: 20834771
  18. Baranov P et al. Neutral and negatively charged silicon vacancies in neutron irradiated SiC: A high-field electron paramagnetic resonance study. (2001) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 308-310 680-683
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21385842] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 21385842, Kapcsolat: 20834772
  19. Bechstedt F et al. Native defects and complexes in SiC. (2001) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 0953-8984 1361-648X 13 40 9027-9037
    Folyóiratcikk[20834773] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834773, Kapcsolat: 20834773
  20. Lowther JE. Defects and defective ultra-hard materials. (2001) RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS 1042-0150 156 1-4 181-189
    Folyóiratcikk[20834774] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834774, Kapcsolat: 20834774
  21. Torpo L et al. Comprehensive ab initio study of properties of monovacancies and antisites in 4H-SiC. (2001) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 0953-8984 1361-648X 13 28 6203-6231
    Folyóiratcikk[20834775] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834775, Kapcsolat: 20834775
  22. Zywietz A et al. Spin state of vacancies from magnetic Jahn-Teller distortions to multiplets. (2000) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 62 11 6854-6857
    Folyóiratcikk[20834778] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834778, Kapcsolat: 20834778
  23. Von Bardeleben H J et al. Proton-implantation-induced defects in n-type 6H- and 4H-SiC: An electron paramagnetic resonance study. (2000) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 62 15 10126-10134
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1345520] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 1345520, Kapcsolat: 20834779
  24. Chen WM et al. Magneto-optical spectroscopy of defects in wide bandgap semiconductors: GaN and SiC. (2000) Megjelent: COMMAD 2000 PROCEEDINGS pp. 497-502
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[24404021] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24404021, Kapcsolat: 23850960
  25. Son NT et al. Intrinsic defects in silicon carbide polytypes. (2000) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 353-356 499-504
    Folyóiratcikk[20834835] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834835, Kapcsolat: 20834780
  26. Zywietz A et al. Intravacancy transition energies in 3C- and 4H-SiC. (2000) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 61 20 13655-13658
    Folyóiratcikk[20834781] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834781, Kapcsolat: 20834781
  27. Wagner M et al. Electronic structure of the neutral silicon vacancy in 4H and 6H SiC. (2000) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 62 24 16555-16560
    Folyóiratcikk[20834782] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834782, Kapcsolat: 20834782
  28. Steeds JW et al. Differentiation between C and Si related damage centres in 4H and 6H SiC by the use of 90-300 kV electron irradiation followed by low temperature photoluminescence microscopy. (2000) MATERIALS SCIENCE FORUM 0255-5476 1662-9752 353-356 381-384
    Folyóiratcikk[20834783] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834783, Kapcsolat: 20834783
Gali A et al. Boron-vacancy complex in SiC. (1999) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 60 15 10620-10623, 1279211
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1279211]
  1. Igumbor E et al. Defect levels induced by double substitution of B and N in 4H-SiC. (2019) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 0168-583X 1872-9584 442 41-46
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[30970632] [Érvényesített]
    Független, Idéző: 30970632, Kapcsolat: 27914061
  2. Igumbor E et al. Electrically active induced energy levels and metastability of B and N vacancy-complexes in 4H-SiC. (2018) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 0953-8984 1361-648X 30 18
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27572572] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 27572572, Kapcsolat: 27572572
  3. Matsuura H et al. Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing. (2009) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 404 St Petersburg, RUSSIA 4755-4757
    Folyóiratcikk[22364492] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 22364492, Kapcsolat: 22364492
  4. Matsuura H et al. Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation. (2008) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 104 4
    Folyóiratcikk[20834786] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834786, Kapcsolat: 20834786
  5. Matsuura H et al. Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC. (2006) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 376 342-345
    Folyóiratcikk[20834788] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834788, Kapcsolat: 20834788
  6. Matsuura H et al. Mechanisms of reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation. (2006) MICROELECTRONIC ENGINEERING 0167-9317 83 1 17-19
    Folyóiratcikk[20834789] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20834789, Kapcsolat: 20834789
  7. Bratus VY et al. Positively charged carbon, vacancy in three inequivalent lattice sites of 6H-SiC: Combined EPR and density functional theory study. (2005) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 71 12 p. 125202
    Folyóiratcikk[24007509] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24007509, Kapcsolat: 20834790
2020-09-25 16:18