J I Horvath et al. Über die Erhaltungssätze des elektromagnetischen Feldes in bewegten Dielektriken. (1956) ACTA PHYSICA ET CHEMICA 0001-6721 2 39-48, 1118400
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1118400]
  1. Oliveira CG. EXTENDED CLASS OF METRIC TENSORS IN RELATIVITY. (1985) INTERNATIONAL JOURNAL OF THEORETICAL PHYSICS 0020-7748 1572-9575 24 11 1081-1089
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319545] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319545, Kapcsolat: 20319545
J Gyulai et al. Measurement of diffusivity, lifetime and surface recombination velocity in semiconductors by the Flying Spot Method. (1960) ACTA PHYSICA ET CHEMICA 0001-6721 6 23-32, 1118405
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1118405]
  1. Baev IA. Measurements of the Minority Carrier Lifetime and Diffusion Coefficient in InSb by the Moving-Light-Spot Method. (1964) SOVIET PHYSICS-SOLID STATE 0038-5654 6 217-221
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20320124] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20320124, Kapcsolat: 20320124
J Gyulai. On the simultaneous determination of lifetime and surface recombination velocity of injected carriers in semiconductors by the Flying Spot Method,. (1960) ACTA PHYSICA ACADEMIAE SCIENTIARUM HUNGARICAE 0001-6705 12 2 167-170, 1118404
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1118404]
  1. Bibliography (fejezet). (1960) Megjelent: Handbook of Semiconductor Electronics p. 149
    Könyvrészlet[20742414] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 20742414, Kapcsolat: 20742414
Gyulai J et al. Outdiffusion through silicon oxide and silicon nitride layers on gallium arsenide. (1970) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 17 8 332-334, 1118430
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1118430]
  1. Kennon Ethan. Behavior of Highly Te doped InGaAs. (2017)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[31196601] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31196601, Kapcsolat: 28830515
  2. Kahraman A et al. Impurity-free quantum well intermixing for large optical cavity high-power laser diode structures. (2016) SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 0268-1242 1361-6641 31 8
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26066970] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 26066970, Kapcsolat: 26066970
  3. Fiedler J et al. High-fluence Ga-implanted silicon-The effect of annealing and cover layers. (2014) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 116 2
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24770274] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24770274, Kapcsolat: 24770274
  4. Dahl J et al. Properties of the SiO2- and SiNx-capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence. (2011) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 99 10
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24770275] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 24770275, Kapcsolat: 24770275
  5. Karimi Sharif. Degradation of silicon nitride glow plugs in electric field-experiments and modeling. (2011)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[31196646] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31196646, Kapcsolat: 28830566
  6. Lee et al. Selective area wavelength tuning of InAs/GaAs quantum dots obtained by TiO2 and SiO2 layer patterning. (2009) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 94 16
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20830809] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20830809, Kapcsolat: 20830809
  7. Ivanco et al. Deoxidation of gallium arsenide surface via silicon overlayer: A study on the evolution of the interface state density. (2005) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 97 7
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20830810] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20830810, Kapcsolat: 20830810
  8. Yokota K et al. Activation of C atoms implanted into GaAs annealed with highly as-doped a-Si : H films. (2002) JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 0013-4651 1945-7111 149 10 G593-G597
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319790] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319790, Kapcsolat: 20319790
  9. Huang CJ. Enhancement of metal-semiconductor barrier height with superthin silicon dioxide films deposited on gallium arsenide by liquid phase deposition. (2001) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 89 11 6501-6505
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319789] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319789, Kapcsolat: 20319789
  10. Huang CJ et al. Effect of a chemical modification on growth silicon dioxide films on gallium arsenide prepared by the liquid phase deposition method. (1999) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 86 12 7151-7155
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319786] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319786, Kapcsolat: 20319786
  11. Helmy AS et al. Control of silica cap properties by oxygen plasma treatment for single-cap selective impurity free vacancy disordering. (1999) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 74 5 732-734
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319787] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319787, Kapcsolat: 20319787
  12. Arscott S et al. Sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O3 thin films on GaAs. (1998) SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 0268-1242 1361-6641 93 2 244-248
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20830816] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20830816, Kapcsolat: 20830816
  13. Ohshika K et al. Optimization of SiON film compositions for encapsulation of refractory metal gate GaAs metal-semiconductor field effect transistor. (1998) JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 0013-4651 1945-7111 145 1 323-328
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319784] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319784, Kapcsolat: 20319784
  14. Yokota K et al. A consideration for electrical activation of carbon implanted into gallium arsenide. (1998) MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 0254-0584 54 1-3 84-87
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20830815] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20830815, Kapcsolat: 20830815
  15. Houng MP et al. A CHEMICAL MODIFICATION PROCESS GROWTH SILICON DIOXIDE ON GALLIUM ARSENIC BY LIQUID PHASE DEPOSITION. (1998) Megjelent: Proceedings of the Second Symposium on III-V Nitride Materials and Processes pp. 125-133
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[31196698] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31196698, Kapcsolat: 28830641
  16. Arscott S et al. Lead zirconate titanate thin films on GaAs substrates. (1997) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 0022-2461 1573-4803 32 23 6129-6133
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319781] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319781, Kapcsolat: 20319781
  17. Houng MP et al. Extremely low temperature formation of silicon dioxide on gallium arsenide. (1997) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 82 11 5788-5792
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319780] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319780, Kapcsolat: 20319780
  18. Fujieda S et al. Low-temperature metalorganic chemical vapour deposition of AIN for surface passivation of GaAs. (1996) ADVANCED MATERIALS FOR OPTICS AND ELECTRONICS 1057-9257 1616-301X 6 3 127-134
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319779] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319779, Kapcsolat: 20319779
  19. Rao Euk. NEW ENCAPSULANT SOURCE FOR III-V QUANTUM-WELL DISORDERING. (1995) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 66 4 472-474
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319778] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319778, Kapcsolat: 20319778
  20. Yung-Kwon Sung et al. The passivation of GaAs by laser CVD. (1994) Megjelent: 1994 Proceedings. 44th Electronic Components and Technology Conference pp. 635-639
    Könyvrészlet/Konferenciaközlemény (Könyvrészlet)/Tudományos[31196757] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31196757, Kapcsolat: 28830690
  21. HASHIZUME T et al. SIO2 AMORPHOUS AS GAAS PASSIVATION SYSTEMS PREPARED AT ROOM-TEMPERATURE BY 50-HZ PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION. (1994) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 76 10 5955-5960
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319776] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319776, Kapcsolat: 20319776
  22. JIMENEZ I et al. SI-INDIFFUSION AND O-OUTDIFFUSION PROCESSES AT SI/SIO2/GAAS-OXIDES/GAAS STRUCTURES - IMPLICATIONS IN SIO2 FORMATION AND GAAS REGROWTH. (1994) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 12 6 3095-3102
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319777] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319777, Kapcsolat: 20319777
  23. GONTIJO I et al. PHOTOREFLECTANCE AND PHOTOLUMINESCENCE OF PARTIALLY INTERMIXED GAAS/ALGAAS DOUBLE-QUANTUM WELLS. (1994) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 76 9 5434-5438
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319775] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319775, Kapcsolat: 20319775
  24. OBRIEN S et al. TUNABLE (AL)GAAS LASERS USING IMPURITY-FREE PARTIAL INTERDIFFUSION. (1992) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 71 2 1067-1069
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20327524] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20327524, Kapcsolat: 20327524
  25. Somogyi K. THE MECHANISM AS SI GAAS SUBSTRATE INFLUENCES THE RESISTIVITY OF THE EPITAXIAL LAYER. (1992) CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY 0232-1300 1521-4079 27 8 1053-1060
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319771] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319771, Kapcsolat: 20319771
  26. LICATA TJ et al. GAAS DOPING BY RAPID THERMAL-DIFFUSION OF A LASER-DEPOSITED ELEMENTAL ZN SOURCE FILM - SHALLOW AND LATERALLY GRADED DIFFUSIONS. (1992) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 10 1 77-83
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319768] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319768, Kapcsolat: 20319768
  27. HASHIZUME T et al. ANNEALING BEHAVIOR OF HF-TREATED GAAS CAPPED WITH SIO2-FILMS PREPARED BY 50-HZ PLASMA-ASSISTED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION. (1992) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-4922 1347-4065 31 12A 3794-3800
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319770] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319770, Kapcsolat: 20319770
  28. KOTELES ES et al. QUANTUM-WELL SHAPE MODIFICATION USING VACANCY GENERATION AND RAPID THERMAL ANNEALING. (1991) OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS 0306-8919 1572-817X 23 7 S779-S787
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319767] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319767, Kapcsolat: 20319767
  29. OBRIEN S et al. SELECTIVE INTERDIFFUSION OF GAINAS/ALLNAS QUANTUM-WELLS BY SIO2 ENCAPSULATION AND RAPID THERMAL ANNEALING. (1990) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 68 10 5256-5262
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20327525] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20327525, Kapcsolat: 20327525
  30. Faraone L et al. Electrical characteristics of Schottky diodes formed on thermally annealed n-GaAs substrates. (1990) SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 0268-1242 1361-6641 5 6 609-615
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25806767] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25806767, Kapcsolat: 25806767
  31. Kuzuhara M et al. Active Layer Formation by Ion Implantation. (1990) SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS 0080-8784 29 C 1-61
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[27190944] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 27190944, Kapcsolat: 27190944
  32. DEAL MD et al. SUPREM 3.5 - PROCESS MODELING OF GAAS INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY. (1989) IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS 0278-0070 8 9 939-951
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319760] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319760, Kapcsolat: 20319760
  33. Nakamura K et al. SUBSTITUTIONAL SITE CONTROL OF SI IN GAAS BY STOICHIOMETRY CHANGE WITH GA ION-IMPLANTATION. (1989) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 0168-583X 1872-9584 37-8 308-311
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319763] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319763, Kapcsolat: 20319763
  34. SHIN KC et al. PHOTOLUMINESCENCE INVESTIGATION OF THE 1.356 EV BAND AND STOICHIOMETRY IN UNDOPED GAAS. (1989) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 65 2 736-741
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319764] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319764, Kapcsolat: 20319764
  35. HAGA T et al. OUT-DIFFUSION OF GA AND AS ATOMS INTO DIELECTRIC FILMS IN SIOX/GAAS AND SINY/GAAS SYSTEMS. (1989) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 66 12 5809-5815
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319757] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319757, Kapcsolat: 20319757
  36. DONNELLY J.P.. Ion Implantation in Iii–V Semiconductors. (1989) Megjelent: III-V Semiconductor Materials and Devices pp. 331-428
    Könyvrészlet/Könyvfejezet (Könyvrészlet)/Tudományos[31196768] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31196768, Kapcsolat: 28830697
  37. Prasad K et al. Investigation of ohmic and Schottky contacts on n-GaAs using spin-on glass capping layers and scanned electron beam alloying. (1989) SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 0268-1242 1361-6641 4 6 458-464
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25806768] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25806768, Kapcsolat: 25806768
  38. GRAY ML et al. SURFACE POLYGONIZATION ON GAAS WAFERS. (1988) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 64 3 1468-1471
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319755] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319755, Kapcsolat: 20319755
  39. Meiners LG et al. Semiconductor surface passivation. (1988) MATERIALS SCIENCE REPORTS 0920-2307 3 3-4 139-216
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25806769] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25806769, Kapcsolat: 25806769
  40. ASAI K et al. REACTIVELY SPUTTERED WSIN FILM SUPPRESSES AS AND GA OUTDIFFUSION. (1988) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 6 5 1526-1529
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319741] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319741, Kapcsolat: 20319741
  41. GUOBA L et al. PROTECTIVE COATINGS ON GAAS AND INP - HIGH-ENERGY ION-SCATTERING ANALYSIS. (1988) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6319 1862-6300 109 1 239-244
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319740] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319740, Kapcsolat: 20319740
  42. YU KM et al. HIGH-TEMPERATURE ANNEALING CHARACTERISTICS OF TUNGSTEN AND TUNGSTEN NITRIDE SCHOTTKY CONTACTS TO GAAS UNDER DIFFERENT ANNEALING CONDITIONS. (1988) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 64 3 1284-1291
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319753] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319753, Kapcsolat: 20319753
  43. SINGH S et al. ELECTRON-BEAM EVAPORATED PHOSPHOSILICATE GLASS ENCAPSULANT FOR POST-IMPLANT ANNEALING OF GAAS. (1988) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 64 8 4194-4198
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319745] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319745, Kapcsolat: 20319745
  44. DUMAS JM et al. FAILURE OF GAAS-MESFETS - DEGRADATION MECHANISMS AT THE GAAS SIO2 INTERFACE. (1987) REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE 0035-1687 22 5 299-302
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319738] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319738, Kapcsolat: 20319738
  45. Haynes T. E. et al. Effectiveness of Thin Film Encapsulants for Reducing Evaporation during Rapid Thermal Processing of GaAs. (1987) MRS SYMPOSIUM PROCEEDINGS 0272-9172 74 693-698
    Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[31196848] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31196848, Kapcsolat: 28830769
  46. Kavanagh KL et al. DIFFUSION OF GE IN GAAS AT SIO2-ENCAPSULATED GE-GAAS INTERFACES. (1987) CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS 0008-4204 1208-6045 65 8 987-990
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319737] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319737, Kapcsolat: 20319737
  47. Kuzuhara M et al. Study of electron traps in n-GaAs resulting from infrared rapid thermal annealing. (1986) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 59 9 3131-3136
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20324182] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20324182, Kapcsolat: 20324182
  48. CAMPBELL PM et al. PREVENTION OF THERMAL SURFACE DAMAGE IN GAAS BY ENCAPSULATED ANNEALING IN AN ARSINE AMBIENT. (1986) JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 0361-5235 15 3 125-131
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319727] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319727, Kapcsolat: 20319727
  49. Ryssel H et al. Ion implantation. (1986) ISBN:047110311X
    Könyv/Szakkönyv (Könyv)/Tudományos[20327467] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20327467, Kapcsolat: 20327523
  50. GAROZZO M et al. GAAS SHALLOW HOMOJUNCTION SOLAR-CELLS FABRICATED ON THIN EPITAXIAL-FILMS BY A SIMPLE ZN SOLID-STATE DIFFUSION METHOD. (1986) SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 0927-0248 14 1 29-49
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319729] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319729, Kapcsolat: 20319729
  51. BENSALEM R et al. EVAPORATED ALUMINUM NITRIDE ENCAPSULATING FILMS. (1986) THIN SOLID FILMS 0040-6090 1879-2731 143 2 141-153
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319725] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319725, Kapcsolat: 20319725
  52. NAKASHIMA H et al. CORRELATION BETWEEN SI DIFFUSION AND SI-INDUCED DISORDERING IN ALGAAS/GAAS SUPERLATTICES. (1986) SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 0749-6036 1096-3677 2 4 303-307
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319723] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319723, Kapcsolat: 20319723
  53. Kwok SP. COMPARISON OF LOW-TEMPERATURE AND HIGH-TEMPERATURE REFRACTORY-METAL SILICIDES SELF-ALIGNED GATE ON GAAS. (1986) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 4 6 1383-1391
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319731] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319731, Kapcsolat: 20319731
  54. Wager J. F. et al. The Deposited Insulator/III-V Semiconductor Interface: Chapter 3. (1985) Megjelent: Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interfaces pp. 165-211
    Könyvrészlet/Könyvfejezet (Könyvrészlet)/Tudományos[31197109] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31197109, Kapcsolat: 28831020
  55. Lau WM et al. POSITIVE SECONDARY-ION MASS-SPECTROMETRIC STUDY OF SILICON-NITRIDE FILMS ON SI AND GAAS WITH A CESIUM ION-SOURCE. (1985) CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS 0008-4204 1208-6045 63 6 842-845
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319717] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319717, Kapcsolat: 20319717
  56. Greiner ME et al. DIFFUSION AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF SILICON-DOPED GALLIUM-ARSENIDE. (1985) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 57 12 5181-5191
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319718] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319718, Kapcsolat: 20319718
  57. DUMAS JM et al. COMPARATIVE RELIABILITY STUDY OF GAAS POWER MESFETS - MECHANISMS FOR SURFACE-INDUCED DEGRADATION AND A RELIABLE SOLUTION. (1985) ELECTRONICS LETTERS 0013-5194 1350-911X 21 3 115-116
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319722] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319722, Kapcsolat: 20319722
  58. DUMAS JM et al. ANALYSIS OF SURFACE-INDUCED DEGRADATION OF GAAS POWER MESFETS. (1985) IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 0741-3106 6 4 192-194
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319720] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319720, Kapcsolat: 20319720
  59. Rao VB et al. THE EFFECT OF VARIOUS ENCAPSULANTS ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF IMPLANTED LAYERS IN GAAS. (1984) JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 0013-4651 1945-7111 131 7 1674-1678
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319709] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319709, Kapcsolat: 20319709
  60. Kuzuhara M et al. SIOXNY CAPPED ANNEALING FOR SI-IMPLANTED GAAS. (1984) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 44 5 527-529
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319714] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319714, Kapcsolat: 20319714
  61. ISHII Y et al. SILICON-NITRIDE FILM DEPOSITION BY HOT-WALL PLASMA-ENHANCED CVD FOR GAAS LSI. (1984) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 2 1 49-53
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319712] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319712, Kapcsolat: 20319712
  62. Thomas RN et al. High purity LEC growth and direct implantation of GaAs for monolithic microwave circuits. (1984) SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS 0080-8784 20 1-88
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31197112] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31197112, Kapcsolat: 28831021
  63. CAMPBELL PM et al. ENHANCED PROTECTION OF GAAS AGAINST THERMAL SURFACE DEGRADATION BY ENCAPSULATED ANNEALING IN AN ARSINE AMBIENT. (1984) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 45 1 95-97
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319710] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319710, Kapcsolat: 20319710
  64. Davies DE et al. Enhanced activation of Zn-implanted GaAs. (1984) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 44 3 304-306
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25806770] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25806770, Kapcsolat: 25806770
  65. KURUP MB et al. DAMAGE AND ANNEALING BEHAVIOR STUDIES OF SN AND TE DUAL IMPLANTED GAAS. (1984) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 0168-583X 1872-9584 230 1-3 766-769
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319711] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319711, Kapcsolat: 20319711
  66. Konig U et al. XPS STUDY OF ANNEALED SIO2/GAAS INTERFACES. (1983) JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 0013-4651 1945-7111 130 4 950-952
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319708] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319708, Kapcsolat: 20319708
  67. Oberstar JD et al. THIN-FILM ENCAPSULANTS FOR ANNEALING GAAS AND INP. (1983) THIN SOLID FILMS 0040-6090 1879-2731 103 1-2 17-26
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319707] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319707, Kapcsolat: 20319707
  68. BARCZ A et al. STOICHIOMETRY CHANGES IN III-V COMPOUNDS UNDER ION-BOMBARDMENT. (1983) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS 0029-554X 209 MAY 621-627
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319705] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319705, Kapcsolat: 20319705
  69. Chow T. P.. Properties of Sputtered Molybdenum Silicide Thin Films. (1983) JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 0013-4651 1945-7111 130 4
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[31197147] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31197147, Kapcsolat: 28831051
  70. SUH K et al. INTERFACIAL STUDIES OF DEPOSITED THIN-FILMS OF REFRACTORY-METALS ON GALLIUM-ARSENIDE SUBSTRATES - MO-GAAS. (1983) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 1071-1023 1 2 365-370
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319706] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319706, Kapcsolat: 20319706
  71. SUZUKI T et al. INFRARED RAPID ANNEALING OF ZN-IMPLANTED GAAS. (1983) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 43 10 951-953
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319703] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319703, Kapcsolat: 20319703
  72. Woodall Jerry. GALLIUM-ARSENIDE MESFET TECHNOLOGY: ION IMPLANTATION AND METAL CONTACTS.. (1983)
    Disszertáció/PhD (Disszertáció)/Tudományos[31197156] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31197156, Kapcsolat: 28831060
  73. Morita E et al. FORMATION OF GALLIUM NITRIDE AT THE INTERFACE BETWEEN SILICON-NITRIDE ENCAPSULANT AND ION-IMPLANTED GAAS. (1983) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS 0021-4922 1347-4065 22 5 L315-L317
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319704] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319704, Kapcsolat: 20319704
  74. SINGH BR et al. CHARACTERIZATION OF SE IMPLANTED LAYERS FOR GAAS-FETS. (1983) MICROELECTRONICS RELIABILITY 0026-2714 23 5 857-861
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319702] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319702, Kapcsolat: 20319702
  75. MIZUTANI T et al. THRESHOLD VOLTAGE OF ION-IMPLANTED GAAS-MESFET. (1982) ELECTRONICS LETTERS 0013-5194 1350-911X 18 2 53-54
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319701] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319701, Kapcsolat: 20319701
  76. NISHI H et al. ALN ENCAPSULANT FOR FABRICATION OF IMPLANTED GAAS ICS. (1982) INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 0951-3248 63 365-370
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323219] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 20323219, Kapcsolat: 20323219
  77. Donelly JP. The electrical characteristics of ion implanted compound semiconductors. (1981) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS 0029-554X 182 APR 553-571
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323217] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323217, Kapcsolat: 20323217
  78. INADA T et al. SELENIUM IMPLANTATION IN EPITAXIAL GALLIUM-ARSENIDE LAYERS. (1981) NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS 0029-554X 182 APR 709-717
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323218] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323218, Kapcsolat: 20323218
  79. WOODALL JM et al. PROXIMATE CAPLESS ANNEALING OF GAAS USING A CONTROLLED-EXCESS AS VAPOR-PRESSURE SOURCE. (1981) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 38 8 639-641
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319700] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319700, Kapcsolat: 20319700
  80. MORGAN DV et al. PROSPECTS FOR ION-BOMBARDMENT AND ION-IMPLANTATION IN GAAS AND INP DEVICE FABRICATION. (1981) IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION 0956-3776 128 4 109-130
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323438] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323438, Kapcsolat: 20323438
  81. Streetman DG. ION-IMPLANTATION IN COMPOUND SEMICONDUCTOR RESEARCH. (1981) IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 0018-9499 28 2 1742-1746
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20324181] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20324181, Kapcsolat: 20324181
  82. Eirug Davies D. Implantation in InP. (1981) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 0022-0248 1873-5002 54 1 150-162
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25806771] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25806771, Kapcsolat: 25806771
  83. Streetman BG. Implantation in compound semiconductor research. (1981) IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 0018-9499 28 2 1741-1746
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[25806772] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25806772, Kapcsolat: 25806772
  84. FUKUDA M et al. THE STABILITY OF COATING FILM MIRROR FACET INTERFACES OF ALGAAS-GAAS DH LASER-DIODES. (1980) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-4922 1347-4065 19 10 1969-1974
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319791] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319791, Kapcsolat: 20319791
  85. TAKAI M et al. NITROGEN IMPLANTATION IN GAAS1-XPX(X=0.4-0.65). (1980) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 21 3 241-248
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323216] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323216, Kapcsolat: 20323216
  86. Wood DR et al. The effect of heat treatment on unpassivated and passivated gallium arsenide surfaces. (1979) SOLID-STATE ELECTRONICS 0038-1101 22 5 479-485
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319699] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319699, Kapcsolat: 20319699
  87. Milano RA et al. Planar ion-implanted avalanche photodiodes in GaAs. (1979) INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 0951-3248 45 411-419
    Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[26066976] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 26066976, Kapcsolat: 26066976
  88. YU PW et al. PHOTO-LUMINESCENCE IN MN-IMPLANTED GAAS - EXPLANATION ON THE APPROXIMATE 1.40-EV EMISSION. (1979) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 50 2 1097-1103
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319792] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319792, Kapcsolat: 20319792
  89. ANDERSON CL et al. LOW-TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOR OF GAAS IMPLANTED WITH BE. (1979) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 35 2 178-180
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323215] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323215, Kapcsolat: 20323215
  90. BIREY H et al. ION-BEAM-SPUTTERED ALOXNY ENCAPSULATING FILMS. (1979) JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY 16 6 2086-2089
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323437] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323437, Kapcsolat: 20323437
  91. Ono Yoshitaka. Annealing behavior of zinc implanted gallium-arsenide.. (1979)
    Disszertáció/Külföldi fokozat (nem PhD) (Disszertáció)/Tudományos[31197178] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 31197178, Kapcsolat: 28831081
  92. BELL EC et al. SOME PROPERTIES OF ANNEALED SI3N4 LAYERS ON GAAS. (1978) THIN SOLID FILMS 0040-6090 1879-2731 51 1 77-82
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319695] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319695, Kapcsolat: 20319695
  93. HELIX MJ et al. R F PLASMA DEPOSITION OF SILICON-NITRIDE LAYERS. (1978) THIN SOLID FILMS 0040-6090 1879-2731 55 1 143-148
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319698] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319698, Kapcsolat: 20319698
  94. HELIX MJ et al. PROPERTIES OF BE-IMPLANTED PLANAR GAAS P-N-JUNCTIONS. (1978) IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 0018-9200 13 426-429
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323424] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323424, Kapcsolat: 20323424
  95. LIDOW A et al. MULTILAYERED ENCAPSULATION OF GAAS. (1978) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 49 10 5213-5217
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319793] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319793, Kapcsolat: 20319793
  96. Sharma BL. INORGANIC DIELECTRIC FILMS FOR III-V COMPOUNDS .1.. (1978) SOLID STATE TECHNOLOGY 0038-111X 21 2 48-53
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20319697] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20319697, Kapcsolat: 20319697
  97. OHDOMARI I et al. HIGH-TEMPERATURE ANNEALING OF SIO2-GAAS SYSTEM. (1978) APPLIED PHYSICS LETTERS 0003-6951 1077-3118 32 4 218-220
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[20323214] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 20323214, Kapcsolat: 20323214
2021-10-19 12:07