Koós M. Influence of Particle-Size and Concentration on the Infrared Spectrum of V2O5. (1973) ACTA PHYSICA ET CHEMICA 0001-6721 19 p. 29, 1817915
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817915]
  1. Zhang H L et al. A Study of Catalytic Activity, Constituent, and Structure of V-Ag Catalyst for Selective Oxidation of Toluene to Benzaldehyde. (1991) JOURNAL OF CATALYSIS 0021-9517 1090-2694 129 2 426-437
    Folyóiratcikk[21995003] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21995003, Kapcsolat: 21995003
  2. Martino R et al. Studies on the System V2O5-TiO2 .2. Infrared-Spectroscopy. (1983) REACTION KINETICS AND CATALYSIS LETTERS 0133-1736 1588-2837 1878-5190 23 375-379
    Folyóiratcikk[21994981] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21994981, Kapcsolat: 21994981
  3. Andersson A. Activities of V-Ti-O Catalysts in the Ammoxidation of 3-Picoline 2. Acid-Base Properties and Infrared-Spectra. (1982) JOURNAL OF CATALYSIS 0021-9517 1090-2694 76 144-156
    Folyóiratcikk[21994942] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21994942, Kapcsolat: 21994942
  4. Andersson A. Structural Dynamics of a V2O5-SnO2 Catalyst in the Ammoxidation of 3-PicolineStructural Dynamics of a V2O5-SnO2 Catalyst in the Ammoxidation of 3-Picoline. (1981) JOURNAL OF CATALYSIS 0021-9517 1090-2694 69 465-474
    Folyóiratcikk[21994926] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21994926, Kapcsolat: 21994926
Vassilyev V A et al. Photoluminescence of glassy and single-crystalline GeSe2 measured at 77K. (1977) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 22 10 633-636, 1817083
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817083]
  1. Bondar N V et al. Photostructural transformations in amorphous Ge-S thin films: A photoluminescence study. (2003) Megjelent: International Conference on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics pp. 49-52
    Egyéb konferenciaközlemény/Tudományos[21888645] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888645, Kapcsolat: 21888645
  2. Seki M et al. Photoluminescence and states in the bandgap of germanium sulfide glasses. (2003) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 315 1-2 107-113
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888646] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888646, Kapcsolat: 21888646
  3. Ginzburg L P. Influence of charged defects on detection of electron spin resonance in vitreous chalcogenide semiconductors. (2003) SEMICONDUCTORS 1063-7826 1090-6479 37 1 82-91
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888648] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888648, Kapcsolat: 21888648
  4. Matsuda O et al. Temperature Dependence of Photoluminescence Intensity and Decay in GeSe2 Glass. (2000) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 266-269 908-912
    Folyóiratcikk[21999368] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999368, Kapcsolat: 21999368
  5. Matsuda O et al. Temperature dependence of photoluminescence intensity and decay in GeSe2 glass. (2000) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 266-269 B 908-912
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888650] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888650, Kapcsolat: 21888650
  6. Bondar N V et al. Bond-conversion model for photoinduced effects in glassy Ge-S chalcogenides. (2000) JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE 0022-2860 555 175-178
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888652] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888652, Kapcsolat: 21888652
  7. Matsuda O et al. Relaxation process of photo-excited states in GeSe2 glass investigated by time-resolved photoluminescence. (1998) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 227-230 PART 2 829-832
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888687] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888687, Kapcsolat: 21888654
  8. Yoshiki Wada. Photoluminescence Study of Glassy Ge(SxSE(1-x))2. (1996) Megjelent: Sixteenth International Conference on Amorphous Semiconductors - Science and Technology pp. 774-777
    Egyéb konferenciaközlemény[21999335] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999335, Kapcsolat: 21999335
  9. Wada Y et al. Photoluminescence study of glassy Ge(SxSe1-x)2. (1996) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 198-200 PART 2 732-735
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888656] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888656, Kapcsolat: 21888656
  10. Osamu Matsuda et al. Electronic Excitation and Relaxation Process in Crystalline and Amorphous GeSe2 Investigated by Photoluminescence. (1992) Megjelent: The 21st International Conference on the Physics of Semiconductors pp. 125-128
    Egyéb konferenciaközlemény[21999302] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999302, Kapcsolat: 21999302
  11. Bletskan D. Photoelectric Properties of Crystalline and Glassy GeSe2. (1984) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 18 138-142
    Folyóiratcikk[21999291] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999291, Kapcsolat: 21999291
  12. Kim G et al. Photoconductivity and Recombination Process in Ge- Se Glasses. (1982) Journal of Physics C: Solid State Physics 15 3431-3440
    Folyóiratcikk[21999689] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999689, Kapcsolat: 21999281
  13. Tichy L et al. Compositional Dependence of the Optical Gap in Ge1-x Sx, Ge40 - Sb60 and (As2S3) x -(Sb2S3)1-x Non-Crystalline Systems. (1982) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 50 371-378
    Folyóiratcikk[21999890] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999890, Kapcsolat: 21999283
  14. Kolomiets B et al. Photo-Luminescence of Glassy Germanium-Diselenide Subject to Thermal Annealing. (1981) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 15 623-625
    Folyóiratcikk[21999580] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999580, Kapcsolat: 21999278
  15. Babaev A. Photo-Luminescence of Glassy Germanium Chalcogenides. (1981) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 15 1085-1086
    Folyóiratcikk[21999276] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999276, Kapcsolat: 21999276
  16. Babaev A. Fotoluminescencija v stekloobraznikh khalkogenidnikh germaniji. (1981) Fizika i technika poluprovidnikov 15 1863-1864
    Folyóiratcikk[21999592] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999592, Kapcsolat: 21999289
  17. Kolomiets B. Fotoluminescencija stekloobraznovo diselenida germanija, podvergnutovo termiteshkim otzsigom. (1981) Fizika i Technologia Poluprovidnikov 15 1083-1087
    Folyóiratcikk[21998543] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21998543, Kapcsolat: 21998543
  18. Murayama K et al. Time-Dependence of the Polarization of the Luminescence in Chalcogenide Glasses. (1980) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 36 349-352
    Folyóiratcikk[21998481] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21998481, Kapcsolat: 21998481
  19. Mollot F et al. Spectral Analysis of the Fatigue of the Photoluminescence Centers in Amorphous Gex Se1-x. (1980) PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 0141-8637 42 643-670
    Folyóiratcikk[21998528] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21998528, Kapcsolat: 21998528
  20. Robertson J. Ionicity Dependence of Defect Reactions and Negative-U States in Glasses 2.. (1980) PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 0141-8637 41 661-676
    Folyóiratcikk/Tudományos[21999665] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999665, Kapcsolat: 21998526
  21. Tóth L. Electron and Hole Drift Mobility in GeSe Glass. (1979) PHYSICA STATUS SOLIDI 0031-8957 54 K159 p. K161
    Folyóiratcikk[21998471] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21998471, Kapcsolat: 21998471
  22. Street R A et al. Defect States in Ge Chalcogenides Observed by Photoluminescence and ESR. (1979) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 32 339-358
    Folyóiratcikk[21998468] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21998468, Kapcsolat: 21998468
  23. Ball G J et al. Photoluminescence and Fatigue Effects in Se-Ge Glasses. (1978) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 27 71-76
    Folyóiratcikk[21995739] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21995739, Kapcsolat: 21995739
  24. Kolomiets B. Proceedings of the 7th International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors. (1977) Megjelent: International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors (7th :, 1977 : Edinburgh, Lothian) p. 802
    Egyéb konferenciaközlemény[21995633] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21995633, Kapcsolat: 21995633
  25. Tóth L et al. Light Induced Light Absorbtion Change in AsSe and GeSe Thin Films. (1977) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 23 185-188
    Folyóiratcikk[21995670] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21995670, Kapcsolat: 21995670
Koós M. Radiative Recombination Processes in Glassy and Crystalline GeSe2. (1978) Megjelent: Amorphous Semiconductors '78 pp. 468-471, 1817932
Könyvrészlet/Tudományos[1817932]
  1. Babaev A A et al. Fotoluminescencija v stekloobraznih Ge2 S3 , Gex Se1- x. (1982) Megjelent: International Conference "Amorphous Semiconductors 82" p. 65
    Egyéb konferenciaközlemény[21999641] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999641, Kapcsolat: 21999641
  2. Kolomiets B et al. Photo-Luminescence of Glassy Germanium-Diselenide Subject to Thermal Annealing. (1981) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 15 623-625
    Folyóiratcikk[21999580] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999580, Kapcsolat: 21999580
  3. Babaev A. Photo-Luminescence of Glassy Germanium Chalcogenides. (1981) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 15 1085-1086
    Folyóiratcikk[21999563] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999563, Kapcsolat: 21999563
  4. BabayevAA. Photo-Luminescence from Glassy Ge2S3, GexSe1-X Systems. (1981) Izvestija Vysshukh Uchebnykh Zavedenii Fizika 10 7-10
    Folyóiratcikk[21999573] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999573, Kapcsolat: 21999573
  5. Babaev A. Fotoluminescencija v stekloobraznikh khalkogenidnikh germaniji. (1981) Fizika i technika poluprovidnikov 15 1863-1864
    Folyóiratcikk[21999592] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999592, Kapcsolat: 21999592
  6. Kolomiets B. Fotoluminescencija stekloobraznovo diseleneide germanija, podvergnutovo termiteshkom otzigh. (1981) Fizika i technika poluprovodnikov 15 1083-1087
    Folyóiratcikk[21999570] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999570, Kapcsolat: 21999570
Vassilyev V A et al. New type of photo-induced photoluminescence fatigue in glassy GeSe2. (1978) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 28 8 613-616, 1817082
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817082]
  1. Hess H. The Fatiguing of the Photoluminescence in Zinc Silicate Doped with Mn and Ga. (1987) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6319 1862-6300 100 343-354
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000121] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000121, Kapcsolat: 21999505
  2. Chamberlain J. Long Term Photo-Luminescence Fatigue in Ge- Se Glasses. (1983) Journal of Physics C: Solid State Physics 16 1987-1998
    Folyóiratcikk[21999444] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999444, Kapcsolat: 21999444
  3. Babaev A. Photo-Luminescence from Glassy GeS and GeSe Systems. (1981) Izvestija Vysshukh Uchebnykh Zavedenii Fizika 10 7-10
    Folyóiratcikk[21999442] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999442, Kapcsolat: 21999442
Vassilyev V A et al. RADIATIVE LOCALIZED CENTRES IN Ge-Se GLASSES OBSERVED BY PHOTOLUMINESCENCE.. (1979) PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 1364-2812 1463-6417 39 4 333-348, 1817081
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817081]
  1. Hantour Hanan Hassan. Investigation of optical properties and local structure of Gd3+ doped nano-crystalline GeSe2. (2017) INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 0217-9792 1793-6578 31 11
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[26733239] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 26733239, Kapcsolat: 26733239
  2. Lee H -Y et al. Photoinduced phase transformations in amorphous ZnSe thin films: Amorphous-to-amorphous and amorphous-to-nanocrystalline transitions. (2003) THIN SOLID FILMS 0040-6090 1879-2731 441 1-2 214-222
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888684] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888684, Kapcsolat: 21888684
  3. Lee H -Y et al. Real-time photoluminescence evaluation of low-temperature photodarkening effect in amorphous SeGe. (2002) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 0021-8979 1089-7550 91 5 2870-2873
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888685] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888685, Kapcsolat: 21888685
  4. Nakaoka T et al. Relaxation process of band-edge exciton in layered crystalline GeSe2. (2000) JOURNAL OF LUMINESCENCE 0022-2313 87 617-619
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888686] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888686, Kapcsolat: 21888686
  5. Matsuda O et al. Relaxation process of photo-excited states in GeSe2 glass investigated by time-resolved photoluminescence. (1998) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 227-230 PART 2 829-832
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888687] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888687, Kapcsolat: 21888687
  6. Matsuda O et al. Relaxation process of photo-excited states in CeSe2 glass investigated by time-resolved photoluminescence. (1998) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 227 829-832
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24448085] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 24448085, Kapcsolat: 24448085
  7. Tanaka Keiji. Structural Phase-Transitions in Chalcogenide Glasses. (1989) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 39 1270-1279
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21999762] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999762, Kapcsolat: 21999762
  8. Madhusoodanan K N et al. Optical-Energy Gap and Thermal-Diffusivity of Ge-Se Semiconducting Glasses. (1988) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6319 1862-6300 108 775-782
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[21999719] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999719, Kapcsolat: 21999719
  9. Murayama K. Hot Photoluminescence in Chalcogenide Glasses. (1987) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 97-8 1147-1150
    Folyóiratcikk/Tudományos[21999755] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999755, Kapcsolat: 21999755
  10. Robins L H et al. Triplet Photoluminescence in Crystalline Chalcogenide Semiconductors. (1984) AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 0094-243X 1551-7616 120 183-188
    Folyóiratcikk/Konferenciaközlemény (Folyóiratcikk)/Tudományos[21999716] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999716, Kapcsolat: 21999716
  11. Chamberlain J M et al. Long-Term Photo-Luminescence Fatigue in Gey Se1-Y Glasses. (1983) JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS 0022-3719 0368-3516 16 1987-1998
    Folyóiratcikk/Tudományos[21999712] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999712, Kapcsolat: 21999712
  12. Babaev A A. Zatuhanie fotoluminescencii i fotostrukturnie izmenenie v stekloobraznih poluprovodnikov. (1982) Megjelent: International Conference "Amorphous Semiconductors 82" pp. 62-68
    Egyéb konferenciaközlemény[21999701] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999701, Kapcsolat: 21999701
  13. Kim G et al. Photoconductivity and Recombination Process in Ge- Se Glasses. (1982) Journal of Physics C: Solid State Physics 15 3431-3440
    Folyóiratcikk[21999689] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999689, Kapcsolat: 21999689
  14. Babaev A. Fotoluminescencija v stekloobraznih Ge2 S3 , Gex Se1- x. (1982) Megjelent: International Conference "Amorphous Semiconductors 82" pp. 333-348
    Egyéb konferenciaközlemény[21999698] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999698, Kapcsolat: 21999698
  15. Babayev A. Photo-Luminescence of Glassy Germanium Chalcogenides. (1981) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 15 1085-1086
    Folyóiratcikk[21999672] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999672, Kapcsolat: 21999672
  16. BABAYEV AA. PHOTO-LUMINESCENCE FROM GLASSY GE2S3, GEXSE1-X SYSTEMS. (1981) IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA 0021-3411 10 7-10
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24448092] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 24448092, Kapcsolat: 24448092
  17. Babayev A. Photo-Luminescence from Glassy Ge2S3, GexSe1-X Systems. (1981) Izvestija Vysshukh Uchebnykh Zavedenii Fizika 7-10
    Folyóiratcikk[21999669] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999669, Kapcsolat: 21999669
  18. Fazekas P. Laser-Induced Phase Transition in Amorphous GeSe2 Films. (1981) PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 0141-8637 44 435-452
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[3118] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 3118, Kapcsolat: 21999666
  19. Babaev A. Fotoluminescencija v stekloobraznikh khalkogenidnikh germaniji. (1981) Fizika i technika poluprovidnikov 15 1863-1864
    Folyóiratcikk[21999592] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999592, Kapcsolat: 21999696
  20. Robertson J. Ionicity Dependence of Defect Reactions and Negative-U States in Glasses 2.. (1980) PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 0141-8637 41 661-676
    Folyóiratcikk/Tudományos[21999665] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999665, Kapcsolat: 21999665
Koós M. On the Photoluminescence of Glassy GeS. (1980) Megjelent: Physical Phenomena in Non-Crystalline Semiconductors pp. 196-198, 1848142
Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[1848142]
  1. Tichy L et al. Compositional Dependence of the Optical Gap in Ge1-x Sx, Ge40 - Sb60 and (As2S3) x -(Sb2S3)1-x Non-Crystalline Systems. (1982) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 50 371-378
    Folyóiratcikk[21999890] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999890, Kapcsolat: 21999890
  2. Babayev A. Photo-Luminescence from Glassy Ge- S and Ge- Se Systems. (1981) Izvestija Vysshukh Uchebnykh Zavedenii Fizika 81 7-10
    Folyóiratcikk[21999865] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999865, Kapcsolat: 21999865
Koos M. PHOTOLUMINESCENCE IN POWDERED AND BULK GLASSY GeSe//2.. (1980) PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES 0141-8637 41 4 383-391, 1817079
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817079]
  1. Osamu Matsuda et al. Electronic Excitation and Relaxation Process in Crystalline and Amorphous GeSe2 Investigated by Photoluminescence. (1993) Megjelent: The 21st International Conference on the Physics of Semiconductors pp. 125-128
    Egyéb konferenciaközlemény[21999963] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999963, Kapcsolat: 21999963
  2. Marikhin V. Electron-Microscopic Study of Glassy Semiconductor Microstructures in the Ge-Se System. (1983) Fizika tverdovo tela 25 2923-2929
    Folyóiratcikk[21999929] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999929, Kapcsolat: 21999929
Kósa Somogyi. Photoluminescence in Amorphous Semiconductors. (1980) Megjelent: New Developments in Semiconductor Physics p. 189, 1848157
Könyvrészlet/Szaktanulmány (Könyvrészlet)/Tudományos[1848157]
  1. Sette F et al. Extended X-Ray Absorption Fine-Structure Studies by Soft-X-Ray Fluorescence Detection. (1987) PHYSICA SCRIPTA 0031-8949 1402-4896 T17 209-2013
    Folyóiratcikk[21999921] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999921, Kapcsolat: 21999921
  2. Sette F et al. Local-Structure of S-Impurities in GaAs. (1986) PHYSICAL REVIEW LETTERS 0031-9007 1079-7114 56 2637-2640
    Folyóiratcikk[21999898] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21999898, Kapcsolat: 21999898
Koós M et al. Photoluminescence in doped and annealed GeSe2 glass. (1981) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 43 2 245-253, 1817078
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817078]
  1. Tanaka K et al. Photo-Electronic Properties. (2011) Megjelent: AMORPHOUS CHALCOGENIDE SEMICONDUCTORS AND RELATED MATERIALS pp. 121-139
    Könyvrészlet/Tudományos[21947820] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21947820, Kapcsolat: 21947820
  2. Wang Y et al. Effect of thermal annealing on dynamics of photoluminescence in a-GeSe2 films. (2000) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 266 SNOWBIRD, UTAH 904-907
    Folyóiratcikk/Tudományos[21947821] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21947821, Kapcsolat: 21947821
  3. KOBRIN BV et al. POSITRON-ANNIHILATION STUDY OF DOPING EFFECT IN CHALCOGENIDE GLASSY SEMICONDUCTORS. (1984) PHYSICA SCRIPTA-TOPICAL ISSUES 0281-1847 29 3 276-278
    Folyóiratcikk/Tudományos[21947823] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21947823, Kapcsolat: 21947823
Koós M et al. Thermal quenching of photoluminescence in GeSe2 glass, thin films and crystals. (1982) JOURNAL OF LUMINESCENCE 0022-2313 26 4 449-462, 1817077
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817077]
  1. Osamu Matsuda et al. Electronic Excitation and Relaxation Process in Crystalline and Amorphous GeSe2 Investigated by Photoluminescence. (1993) Megjelent: The 21st International Conference on the Physics of Semiconductors pp. 125-128
    Egyéb konferenciaközlemény[22000147] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000147, Kapcsolat: 22000147
  2. Hess H. The Fatiguing of the Photoluminescence in Zinc Silicate Doped with Mn and Ga. (1987) PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 0031-8965 1521-396X 1862-6319 1862-6300 100 343-354
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000121] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000121, Kapcsolat: 22000121
  3. Kolomiets B. Temperaturnom Gashenie Fotoluminescencija v Kalkogenidnih Poluprovodnikih Steklah. (1984) Fizika i khimija stekla 10 p. 440
    Folyóiratcikk[22000088] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000088, Kapcsolat: 22000088
Koós M. Photoluminescence in Ge1/6Se5/6 Glass. (1982) Megjelent: Amorphous Semiconductors 82 pp. 132-134, 1848183
Egyéb konferenciaközlemény/Konferenciaközlemény (Egyéb konferenciaközlemény)/Tudományos[1848183]
  1. Klinger M. O Novoj modele luminescencii v stekloobraznih poluprovodniki. (1983) Fizika i technika poluprovidnikov 17 961-963
    Folyóiratcikk[22000217] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000217, Kapcsolat: 22000217
  2. Klinger M. New Model of Luminescence of Glassy Semiconductors. (1983) SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 0038-5700 17 606-607
    Folyóiratcikk[22000256] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000256, Kapcsolat: 22000256
  3. Klinger M I. Model of Electronic Processes in Glassy Semiconductors Correlation with Structural Features. (1983) SOLID STATE COMMUNICATIONS 0038-1098 45 949-953
    Folyóiratcikk[22000232] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000232, Kapcsolat: 22000232
  4. Klinger M I. Atomic Quantum Diffusion Tunneling States and Some Related Phenomena in Condensed Systems. (1983) PHYSICS REPORTS-REVIEW SECTION OF PHYSICS LETTERS 0370-1573 1873-6270 94 183-312
    Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000254] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000254, Kapcsolat: 22000254
  5. Klinger M. Teorija nizkotemperaturnih anomalij, atomnih tunelnih sostojanij, i elektronnovo sparivanija v amorfnih poluprovodnikah. (1982) Megjelent: International Conference "Amorphous Semiconductors 82" pp. 132-134
    Egyéb konferenciaközlemény[22000209] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000209, Kapcsolat: 22000209
Izvekov V P et al. Structure and photoluminescence of the a-GexSe1-x system. (1983) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 59-60 PART 2 1011-1014, 1817076
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817076]
  1. Tanaka K. Photoluminescence in chalcogenide glasses: Revisited. (2013) JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS 1454-4164 15 11-12 1165-1178
    Folyóiratcikk/Tudományos[25122207] [Admin láttamozott]
    Független, Idéző: 25122207, Kapcsolat: 24448150
  2. Sharda S et al. Finger prints of chemical bonds in Sb-Se-Ge and Sb-Se-Ge-In glasses: A Far-IR study. (2013) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 362 136-139
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24448152] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 24448152, Kapcsolat: 24448152
  3. Abdel-Wahab F et al. Effect of Sb on the optical properties of the Ge-Se chalcogenide thin films. (2013) PHYSICA B-CONDENSED MATTER 0921-4526 1873-2135 422 40-46
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[24448151] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 24448151, Kapcsolat: 24448151
  4. Sharma P et al. Far-infrared study of amorphous Ge0.17Se0.83-xSbx chalcogenide glasses. (2009) JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 0925-8388 480 2 934-937
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888723] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888723, Kapcsolat: 21888723
  5. Sharma P et al. Far-infrared transmission and bonding arrangement in Ge10Se90-xTex semiconducting glassy alloys. (2008) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 354 32 3836-3839
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888724] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888724, Kapcsolat: 21888724
  6. Asha Bhat N et al. A Fourier-transform photoluminescence study of radiative recombination mechanism in chalcogenide glasses. (2003) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 319 1-2 192-199
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888725] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888725, Kapcsolat: 21888725
  7. Goyal D R et al. Far-Infrared Absorption in Amorphous Sb15GexSe85-X Glasses. (1995) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 183 182-185
    Folyóiratcikk[22000451] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000451, Kapcsolat: 22000451
  8. Goyal D R. Far-Infrared Absorbtion in Amorphous Sb15GexSe(1-x) Glass. (1995) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 183 p. 182
    Folyóiratcikk[22000414] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000414, Kapcsolat: 22000414
  9. Katyal S C et al. Far-Infrared Transmission in Ge1-X Snx Se2.5 Glassy Alloys. (1993) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 0953-8984 1361-648X 5 3469-3474
    Folyóiratcikk/Tudományos[22000424] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000424, Kapcsolat: 22000424
  10. Minaev V S et al. Structural Model of a Glassy Chalcogenide Material of the Ge-Se System. (1988) INORGANIC MATERIALS 0020-1685 1608-3172 24 1185-1187
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000445] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000445, Kapcsolat: 22000445
  11. Goyal D R. Far-Infrared Absorption in Sb15Ge10Se75. (1988) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 0261-8028 7 783-784
    Folyóiratcikk/Tudományos[22000436] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000436, Kapcsolat: 22000436
Koós M et al. Fatigue and temperature dependence of photoluminescence in some GexSe1-x glasses. (1984) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 64 1-2 71-79, 1817074
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817074]
  1. Cernoskova E et al. Photoluminescence And Optically Detected Magnetic-Resonance In Gexs1-X System Glasses. (1995) MATERIALS LETTERS 0167-577X 25 21-25
    Folyóiratcikk[22000774] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000774, Kapcsolat: 22000531
  2. Mahadevan S et al. Volumetric Effect of Topology in Chalcogenide Glass Systems. (1994) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 169 133-142
    Folyóiratcikk[22000528] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000528, Kapcsolat: 22000528
  3. Agnihotri A. X-Ray Spectroscopic Studies of the Glassy Gex Se100-X System. (1988) Philosofical Magazine Letters 58 663-672
    Folyóiratcikk[22000501] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000501, Kapcsolat: 22000501
  4. Kumar A et al. Steady-State and Transient Photoconductivity in Amorphous Thin-Films of GexSe100-X. (1988) PHYSICAL REVIEW B 2469-9950 2469-9969 0163-1829 0556-2805 1550-235X 1098-0121 38 3432-3435
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000527] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000527, Kapcsolat: 22000527
  5. Calas J Averous. Photocarrier Drift Mobility in Bulk Vitreous GeSe3 in the Temperature-Range 60 to 300 K. (1988) PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 0370-1972 1521-3951 147 629-634
    Folyóiratcikk[22000506] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000506, Kapcsolat: 22000506
Koós M et al. Photoluminescence in obliquely deposited a-GeSe2 films. (1984) JOURNAL OF LUMINESCENCE 0022-2313 31-32 PART 1 351-353, 1817073
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817073]
  1. Yoshioka S et al. Electrical and optical properties of GeSe2:H films prepared by reactive-plasma assisted deposition. (1996) Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 39 2 71-74
    Folyóiratcikk/Tudományos[21888731] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21888731, Kapcsolat: 21888731
Kósa Somogyi I et al. Distibution of Tg Value and PL in Amorphous Semiconductors. (1984) KFKI 0368-5330 126 1-8, 1848276
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1848276]
  1. MALINOVSKY VK et al. THE NATURE OF ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN GLASSES. (1987) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 90 1-3 453-456
    Folyóiratcikk/Tudományos[21947954] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21947954, Kapcsolat: 22000480
Somogyi I K et al. Structure and photoluminescence of the a-Gex Se1-x, system. (1984) MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 0254-0584 10 3 237-276, 1817075
Folyóiratcikk/Összefoglaló cikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817075]
  1. Tomozeiu N et al. On the photoluminescence of a-C:H films. (2000) JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS 1454-4164 2 3 241-246
    Folyóiratcikk/Tudományos[21923062] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21923062, Kapcsolat: 22000776
  2. Cernoskova E et al. Photoluminescence And Optically Detected Magnetic-Resonance In Gexs1-X System Glasses. (1995) MATERIALS LETTERS 0167-577X 25 21-25
    Folyóiratcikk[22000774] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000774, Kapcsolat: 22000774
  3. Katyal S C et al. Far-Infrared Transmission in Ge1-X Snx Se2.5 Glassy Alloys. (1993) JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 0953-8984 1361-648X 5 3469-3474
    Folyóiratcikk/Tudományos[22000424] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000424, Kapcsolat: 22000293
  4. Kotkata M F. Trends In The Microhardness Of Monocomponent And Multicomponent Chalcogenide Glasses. (1991) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 0022-2461 1573-4803 26 4869-4877
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000735] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000735, Kapcsolat: 22000735
  5. Minaev V S et al. Structural Model of a Glassy Chalcogenide Material of the Ge-Se System. (1988) INORGANIC MATERIALS 0020-1685 1608-3172 24 1185-1187
    Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[22000445] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000445, Kapcsolat: 22000343
  6. Goyal D R. Far-Infrared Absorption in Sb15Ge10Se75. (1988) JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 0261-8028 7 783-784
    Folyóiratcikk/Tudományos[22000436] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 22000436, Kapcsolat: 22000319
Koós M et al. Photoluminescence and distribution of Tg values in the GexSe1-x system. (1985) JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 0022-3093 77-78 PART 2 1145-1148, 1817072
Folyóiratcikk/Szakcikk (Folyóiratcikk)/Tudományos[1817072]
  1. Malinovsky V K. Nanoinhomogeneities in glasses and their role in optical memory phenomena and charge transfer processes. (2011) Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing 8756-6990 47 2 156-167
    Folyóiratcikk/Tudományos[21947978] [Nyilvános]
    Független, Idéző: 21947978, Kapcsolat: 21888744
2021-10-27 00:23